[發明專利]半導體結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201410243358.7
• 申請日: 2014-06-03
• 公開（公告）號: CN103985725B
• 公開（公告）日: 2017-03-08
• 發明（設計）人: 邢家明;葉菁;高喜峰;施喆天
• 申請（專利權）人: 豪威科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/8238
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括連接區以及功能區，所述連接區內包括一連接層；

保護絕緣層，位于所述基底的一側；

至少一第一開口，位于所述基底的一側，所述第一開口暴露所述連接層，所述第一開口的側壁具有一側壁絕緣層，所述第一開口內填充有導電材料形成的導電結構；

墊片，位于所述保護絕緣層背離所述基底的一側，并位于所述連接區上，所述墊片覆蓋所述導電結構并通過所述導電結構與所述連接層相連；

金屬結構，位于所述保護絕緣層背離所述基底的一側，并位于所述功能區上。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述保護絕緣層包括層疊的一高介電絕緣層和一氧化層，所述氧化層位于所述高介電絕緣層背離所述基底的一側。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述高介電絕緣層的厚度為5nm～100nm。

4.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，所述氧化層的厚度為10nm～200nm。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括一第一導電層，所述第一導電層位于所述墊片和保護絕緣層之間，并覆蓋所述導電結構。

6.如權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述第一導電層的材料為氮化鉈或氮化鈦。

7.如權利要求5所述的半導體結構，其特征在于，所述第一導電層的厚度為5nm～100nm。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括一第二導電層，所述第二導電層位于所述墊片與保護絕緣層之間，并位于所述金屬結構與保護絕緣層之間。

9.如權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，所述第二導電層的材料為氮化鉈或氮化鈦。

10.如權利要求8所述的半導體結構，其特征在于，所述第二導電層的厚度為5nm～50nm。

11.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構還包括一保護層，所述保護層位于所述基底的一側，并覆蓋所述墊片和金屬結構。

12.如權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，所述保護層的材料為氧化硅。

13.如權利要求11所述的半導體結構，其特征在于，所述保護層上具有一第二開口，所述第二開口暴露部分所述墊片。

14.如權利要求1-13中任意一項所述的半導體結構，其特征在于，還包括：

第三開口，位于所述保護絕緣層中，所述第三開口暴露部分所述基底；

接地結構，形成于所述第三開口內。

15.如權利要求1-13中任意一項所述的半導體結構，其特征在于，所述半導體結構為CMOS傳感器，所述金屬結構為所述CMOS傳感器的光阻擋層。

16.一種半導體結構制備方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底包括連接區以及功能區，所述連接區內包括一連接層；

在所述基底的一側形成一保護絕緣層；

在所述基底的一側形成至少一第一開口，所述第一開口暴露所述連接層；

在所述第一開口的側壁形成一側壁絕緣層；

在所述第一開口內填充導電材料形成導電結構；

在所述保護絕緣層背離所述基底的一側形成一金屬層；

對所述金屬層進行選擇性刻蝕，在所述連接區上形成一墊片，并在所述功能區形成金屬結構，其中，所述墊片覆蓋所述導電結構并通過所述導電結構與所述連接層相連。

17.如權利要求16所述的半導體結構制備方法，其特征在于，所述保護絕緣層包括層疊的一高介電絕緣層和一氧化層，所述氧化層位于所述高介電絕緣層背離所述基底的一側。

18.如權利要求17所述的半導體結構制備方法，其特征在于，所述高介電絕緣層的厚度為5nm～100nm。

19.如權利要求17所述的半導體結構制備方法，其特征在于，所述氧化層的厚度為10nm～200nm。