[發明專利]成像探測器及其制造方法

有效

• 申請號: 201410243348.3
• 申請日: 2014-06-03
• 公開（公告）號: CN105226130B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發明（設計）人: 楊天倫;毛劍宏
• 申請（專利權）人: 上海麗恒光微電子科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種成像探測器的制造方法，包括步驟：

提供基底，其包括半導體襯底和第一介質層，在半導體襯底內具有CMOS電路，在第一介質層內具有呈陣列排布的第一互連孔，所述基底表面具有位于四個相鄰的接觸孔之間的反射層；

其特征在于，還包括步驟：

在所述基底上形成犧牲層；

刻蝕所述犧牲層，形成暴露所述第一互連孔的通孔；

利用導電材料填充所述通孔形成第二互連孔；

在所述犧牲層和第二互連孔上形成金屬層；

在金屬層上形成第二介質層；

利用干法刻蝕去掉部分區域的第二介質層和金屬層，使得相鄰的四個第二互連孔分別通過4根金屬線和其上的第二介質層連接到所述反射層上方的位置，并且其中連接對角的兩個第二互連孔的金屬線被第二介質層覆蓋；連接另外對角的兩個第二互連孔的金屬線延伸到反射層上方的部分被暴露，其中所述干法刻蝕方法為：利用HBr氣體對第二介質層和金屬層同步刻蝕。

在反射層所對應的第二介質層上形成熱敏電阻，所述熱敏電阻覆蓋延伸到反射層上方的暴露的金屬線；

去除犧牲層。

2.如權利要求1所述的成像探測器的制造方法，其特征在于，所述熱敏電阻為非晶硅材料。

3.如權利要求1所述的成像探測器的制造方法，其特征在于，形成犧牲層步驟之前還包括在所述基底上形成覆蓋所述反射層的粘附層，粘附層材料為鍺硅和/或多晶鍺。

4.如權利要求1所述的成像探測器的制造方法，其特征在于，所述犧牲層的材料為非晶碳和/或PI。

5.如權利要求1所述的成像探測器的制造方法，其特征在于，在刻蝕犧牲層之前還包括在犧牲層上形成粘附層，粘附層的材料為：鍺硅和/或含氧氮化硅；

在形成第二互連孔之后去除所述粘附層。

6.如權利要求1所述的成像探測器的制造方法，其特征在于，填充所述通孔是利用鍺硅材料。

7.如權利要求1所述的成像探測器的制造方法，其特征在于，所述第一介質層和第二介質層的材料為氮化硅，厚度100至150埃。

8.如權利要求1所述的成像探測器的制造方法，其特征在于，金屬層為鈦或氮化鈦層厚度為：80至100埃，并且在形成金屬層之前包括在犧牲層上形成粘附層。

9.如權利要求8所述的成像探測器的制造方法，其特征在于，所述干法刻蝕具體參數為：壓力8-10mT，功率450-500W，利用100-120sccmCL₂、100-120sccmHBr和5-50sccmO₂。

10.一種成像探測器，包括：

基底，其包括半導體襯底和第一介質層，在半導體襯底內具有CMOS電路，在第一介質層內具有呈陣列排布的第一互連孔，所述基底表面具有位于四個相鄰的接觸孔之間的反射層，反射層上方具有一空腔；

其特征在于，還包括位于空腔內的：

和第一互孔貫通的第二互連孔，第二互連孔的材料為：鍺硅；

所示反射層上方具有熱敏電阻，相鄰的四個第二互連孔分別通過4根金屬線和其上的第二介質層連接到所述反射層上方的熱敏電阻，并且其中連接對角的兩個第二互連孔的金屬線被第二介質層覆蓋；連接另外對角的兩個第二互連孔的金屬線延伸到反射層上方的部分和熱敏電阻互連。