[發(fā)明專利]自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)及其使用方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410242760.3
• 申請(qǐng)日: 2014-06-03
• 公開（公告）號(hào): CN104900561B
• 公開（公告）日: 2018-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳宗宸;周文湛;李宏仁;黃和涌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)，包括：

烘烤腔室，配置為接收晶圓；

加熱元件，配置為支持所述晶圓；以及

控制器，配置為接收與所述加熱元件和所述晶圓相關(guān)的溫度信息，其中，所述控制器還配置為在烘烤工藝期間響應(yīng)于所述溫度信息調(diào)整由所述加熱元件提供的熱量的量，其中，所述控制器配置為響應(yīng)于所述溫度信息的變化速率的增大而減少由所述加熱元件提供的熱量的量。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)，其中，所述加熱元件包括多個(gè)加熱區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)，其中，所述控制器配置為單獨(dú)地控制所述多個(gè)加熱區(qū)域的每個(gè)加熱區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)，其中，所述控制器配置為基于由鄰近第一加熱區(qū)域的加熱區(qū)域提供的熱量的量來控制所述多個(gè)加熱區(qū)域的所述第一加熱區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)，其中，所述控制器配置為響應(yīng)于所述溫度信息增大所述烘烤工藝的持續(xù)時(shí)間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)，其中，所述加熱元件包括嵌入到所述加熱元件的表面中的至少一個(gè)溫度傳感器，其中，所述加熱元件配置為支持所述晶圓。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)，其中，所述控制器配置為將單個(gè)加熱信號(hào)提供至所述加熱元件以調(diào)整由所述加熱元件提供的熱量的量。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)，其中，所述控制器配置為將多個(gè)加熱信號(hào)提供至所述加熱元件以調(diào)整由所述加熱元件提供的熱量的量。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)，其中，所述加熱元件包括多個(gè)加熱區(qū)域并且所述多個(gè)加熱區(qū)域的每個(gè)加熱區(qū)域配置為接收所述多個(gè)加熱信號(hào)的相應(yīng)加熱信號(hào)。

10.一種使用自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)的方法，所述方法包括：

將晶圓支持在加熱元件上，其中，所述加熱元件位于烘烤腔室中；

使用所述加熱元件加熱所述晶圓第一持續(xù)時(shí)間；

在所述第一持續(xù)時(shí)間期間，測量所述加熱元件的溫度和所述晶圓的溫度；以及

在所述第一持續(xù)時(shí)間期間基于所述加熱元件的溫度或所述晶圓的溫度調(diào)整由所述加熱元件提供的熱量的量，

其中，基于所述加熱元件的溫度或所述晶圓的溫度與目標(biāo)溫度之間的差異延長烘烤工藝的時(shí)間。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的使用自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)的方法，其中，加熱所述晶圓包括：使用多個(gè)加熱區(qū)域加熱所述晶圓，并且調(diào)整由所述加熱元件提供的熱量的量包括：單獨(dú)地控制所述多個(gè)加熱區(qū)域的每個(gè)加熱區(qū)域。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的使用自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)的方法，其中，調(diào)整由所述加熱元件提供的熱量的量包括：基于鄰近第一加熱區(qū)域的所述多個(gè)加熱區(qū)域的加熱區(qū)域的熱量的量來調(diào)整由所述多個(gè)加熱區(qū)域的所述第一加熱區(qū)域提供的熱量的量。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的使用自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)的方法，其中，調(diào)整所述熱量的量包括：通過所述加熱元件接收單個(gè)加熱信號(hào)并將所述單個(gè)加熱信號(hào)尋址到所述多個(gè)加熱區(qū)域的至少一個(gè)加熱區(qū)域。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的使用自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)的方法，其中，調(diào)整所述熱量的量包括：通過所述加熱元件接收多個(gè)加熱信號(hào)，所述多個(gè)加熱信號(hào)的每個(gè)加熱信號(hào)與所述多個(gè)加熱區(qū)域的加熱區(qū)域相對(duì)應(yīng)。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的使用自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)的方法，其中，測量所述加熱元件的溫度包括：使用嵌入到所述晶圓的表面中的至少一個(gè)傳感器來測量所述溫度。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的使用自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)的方法，其中，測量所述晶圓的溫度包括：測量所述晶圓的表面上的晶圓溫度。

17.一種用于自適應(yīng)烘烤系統(tǒng)的控制器，所述控制器包括：

非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，配置為存儲(chǔ)與晶圓的目標(biāo)溫度、加熱元件的目標(biāo)溫度、晶圓的溫度和加熱元件的溫度相關(guān)的信息；以及

處理器，連接至所述非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，所述處理器配置為在烘烤工藝期間產(chǎn)生至少一個(gè)加熱信號(hào)以調(diào)整由所述加熱元件提供至所述晶圓的熱量的量，其中，所述處理器配置為當(dāng)所述加熱元件的溫度對(duì)時(shí)間的變化速率增大時(shí)，減少由所述加熱元件提供的熱量的量。