[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201410242413.0
• 申請日: 2009-12-25
• 公開（公告）號: CN103985765A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 山崎舜平;坂田淳一郎;小山潤
• 申請（專利權）人: 株式會社半導體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/10;H01L27/12;G09G3/20
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖

1.一種包括反相器電路和像素的半導體器件，

所述反相器電路包括：

第一晶體管；

第二晶體管；且

其中所述第一晶體管的源極電連接至所述第二晶體管的漏極；

其中所述第一晶體管的柵極電連接至所述第一晶體管的源極，

其中所述第一晶體管和所述第二晶體管中的至少一個的溝道形成區包括第一氧化物半導體層和第二氧化物半導體層，

其中所述第二氧化物半導體層設置在所述第一氧化物半導體層上，且

其中所述第一氧化物半導體層具有比所述第二氧化物半導體層低的電阻率，且

所述像素包括第三晶體管，

其中所述第三晶體管的溝道形成區由第三氧化物半導體層的單層形成。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管都是底柵型n溝道晶體管。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管都包括源電極和形成在所述第二氧化物半導體層上的漏電極。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一晶體管是耗盡型晶體管，且所述第二晶體管是增強型晶體管。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第二氧化物半導體層和所述第三氧化物半導體層都包括銦。

6.一種包括反相器電路和像素的半導體器件，

所述反相器電路包括：

第一晶體管；

第二晶體管；且

其中所述第一晶體管的源極電連接至所述第二晶體管的漏極；

其中所述第一晶體管的柵極電連接至所述第一晶體管的漏極，

其中所述第一晶體管和所述第二晶體管中的至少一個的溝道形成區包括第一氧化物半導體層和第二氧化物半導體層，

其中所述第二氧化物半導體層設置在所述第一氧化物半導體層上，且

其中所述第一氧化物半導體層具有比所述第二氧化物半導體層低的電阻率，且

所述像素包括第三晶體管，

其中所述第三晶體管的溝道形成區由第三氧化物半導體層的單層形成。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管都是底柵型n溝道晶體管。

8.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管都包括源電極和形成在所述第二氧化物半導體層上的漏電極。

9.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管都是增強型晶體管。

10.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第二氧化物半導體層和所述第三氧化物半導體層都包括銦。

11.一種包括驅動器電路和像素的半導體器件，

所述驅動器電路包括第一晶體管，

其中所述第一晶體管的溝道形成區包括第一氧化物半導體層和形成在所述第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層，

其中所述第一氧化物半導體層具有不同于所述第二氧化物半導體層的電阻率，且

所述像素包括第二晶體管，

其中所述第二晶體管的溝道形成區由第三氧化物半導體層的單層形成。

12.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管都是底柵型n溝道晶體管。

13.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述第一晶體管包括源電極和形成在所述第二氧化物半導體層上的漏電極。

14.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述第二氧化物半導體層和所述第三氧化物半導體層都包括銦。