[發明專利]具有無角輪廓的接觸件硅化物

在審

• 申請號: 201410242305.3
• 申請日: 2014-06-03
• 公開（公告）號: CN104916687A
• 公開（公告）日: 2015-09-16
• 發明（設計）人: 陳圣文;施侑伸;羅加聘;林彥華;譚倫光;林鈺庭
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種半導體器件，包括：

晶體管，具有源極/漏極區；

導電接觸件，設置在所述源極/漏極區上方：以及

硅化物元件，設置在所述導電接觸件下方，其中，所述硅化物元件具有無角的截面輪廓。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述硅化物元件具有近似圓形的截面輪廓。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述硅化物元件的一部分具有近似橢圓形的截面輪廓。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述硅化物元件是硅化鎳。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，以所述硅化物元件形成所述導電接觸件和所述源極/漏極區之間的界面的方式設置所述硅化物元件。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述晶體管是高k金屬柵極晶體管。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述半導體器件是20nm技術節點器件。

8.一種半導體器件，包括：

硅襯底；

柵極結構，設置在所述硅襯底上方；

源極/漏極，形成在所述硅襯底中并且與所述柵極結構鄰近；以及

接觸件，設置在所述源極/漏極上方，所述接觸件包含金屬材料，其中，金屬硅化物形成所述接觸件和所述源極/漏極之間的界面，并且所述金屬硅化物的截面具有無角的形狀。

9.根據權利要求8所述的半導體器件，其中，所述金屬硅化物的截面具有近似圓形的形狀。

10.一種制造半導體器件的方法，包括：

提供襯底，所述襯底具有形成在其中的源極/漏極區和形成在其上方的介電層；

在所述介電層中形成開口，其中，所述開口露出所述源極/漏極區；

通過所述開口實施注入工藝以在所述源極/漏極區中形成非晶硅部分；

在所述開口中沉積金屬，所述金屬沉積在所述非晶硅部分上；以及

對所述金屬實施退火以促進所述金屬和所述非晶硅部分之間發生反應，從而在所述源極/漏極區中形成金屬硅化物。