[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410242276.0
• 申請(qǐng)日: 2014-06-03
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104241234B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-10-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 松本一治;大鳥(niǎo)居英
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索尼公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京信慧永光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11290
• 代理人: 曹正建;陳桂香

1.一種半導(dǎo)體器件，其包括：

第一半導(dǎo)體電子元件，所述第一半導(dǎo)體電子元件包括焊盤(pán)電極、焊料凸塊以及位于所述焊盤(pán)電極與所述焊料凸塊之間的金屬層，位于所述焊盤(pán)電極與所述焊料凸塊之間的所述金屬層被配置成具有底層金屬層和主金屬層，所述底層金屬層形成在所述焊盤(pán)電極與所述焊料凸塊之間并與所述焊盤(pán)電極相連接，且所述主金屬層形成在所述底層金屬層上，

其中，所述主金屬層在其外邊緣部處具有相對(duì)于所述底層金屬層的頂層朝外部突出的屋檐部，

其中，根據(jù)所述焊料凸塊的直徑來(lái)設(shè)定所述屋檐部的長(zhǎng)度。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其還包括：

第二半導(dǎo)體電子元件，所述第二半導(dǎo)體電子元件通過(guò)所述焊料凸塊與所述第一半導(dǎo)體電子元件電連接和機(jī)械連接。

3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中，位于所述焊盤(pán)電極與所述焊料凸塊之間的所述金屬層充當(dāng)凸塊下金屬。

4.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述焊料凸塊的形成節(jié)距被設(shè)定為100μm以下。

5.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述屋檐部沿突出方向的長(zhǎng)度被設(shè)定為0.1μm至2.5μm。

6.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其包括：

在基板部上形成底層金屬層，以使所述底層金屬層與形成在所述基板部上的焊盤(pán)電極相接觸，所述基板部包括半導(dǎo)體基板；

在所述底層金屬層上的與所述焊盤(pán)電極的形成位置相對(duì)應(yīng)的位置處形成主金屬層；

在所述主金屬層上形成焊料層；以及

通過(guò)將所述主金屬層視為掩膜來(lái)刻蝕所述底層金屬層，

其中，在刻蝕所述底層金屬層之后，所述主金屬層在其外邊緣部處具有相對(duì)于所述底層金屬層的頂層朝外部突出的屋檐部，

其中，根據(jù)所述焊料層的直徑來(lái)設(shè)定所述屋檐部的長(zhǎng)度。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在形成所述主金屬層的步驟中，所述主金屬層形成為使得所述屋檐部沿突出方向的長(zhǎng)度為0.5μm至5μm。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在刻蝕所述底層金屬層的步驟中，通過(guò)使用化學(xué)溶液來(lái)執(zhí)行刻蝕，所述化學(xué)溶液既能刻蝕所述底層金屬層，又能刻蝕所述屋檐部，并且在所述屋檐部上比在所述底層金屬層上具有更低的刻蝕速率。

9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，

其中，在形成所述底層金屬層的步驟中，形成如下的所述底層金屬層，在所述底層金屬層中，最上層和位于所述最上層下方的層被配置成分別具有不同的材料，

其中，在形成所述主金屬層的步驟中，在所述底層金屬層上對(duì)在與所述焊盤(pán)電極的形成位置相對(duì)應(yīng)的位置處具有開(kāi)口的掩膜進(jìn)行處理，且使用所處理的掩膜來(lái)執(zhí)行刻蝕以選擇性地去除所述底層金屬層的所述最上層，并接著在所述開(kāi)口中形成所述主金屬層。

10.如權(quán)利要求6-9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，通過(guò)形成所述底層金屬層的步驟和形成所述主金屬層的步驟而由所述底層金屬層和所述主金屬層制成的金屬層是通過(guò)半添加法形成的。

11.如權(quán)利要求6-9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，在刻蝕所述底層金屬層的步驟之后，所述屋檐部沿突出方向的長(zhǎng)度為0.1μm至2.5μm。