[發明專利]一種金電極的制備方法有效
| 申請號： | 201410241889.2 | 申請日： | 2014-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN103993287B | 公開（公告）日： | 2017-01-04 |
| 發明（設計）人： | 李玲霞;于仕輝;許丹;董和磊;金雨馨 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;C23C14/04 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限責任專利代理事務所12201 | 代理人： | 張宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電極 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種金電極的制備方法，具有如下步驟：
(1)清洗基片及光刻顯影
a.將基片放入丙酮中超聲清洗20分鐘，用去離子水沖洗后烘干；
b.將烘干后的基片放入酒精中清洗20分鐘，用去離子水沖洗后用氮氣吹干；
c.將光刻膠旋涂在基片上，厚度1um～5um，烘干后使用光刻掩膜版做曝光處理；
d.使用顯影液將電極圖形顯影出來；
(2)將步驟(1)顯影后的基片放入多靶共濺磁控濺射腔體中，在一個濺射靶上裝上金屬鉻靶材，在另一個濺射靶上裝上金靶材；
(3)當磁控濺射的真空度<1.0×10-3Pa時，開始對鉻靶材進行濺射，鉻層的沉積厚度為5nm～200nm；
(4)步驟(3)結束后，同時打開鉻靶和金靶的濺射電源，同時對鉻靶材和金靶材進行濺射，使鉻、金合金的沉積厚度為3nm～200nm；
(5)步驟(4)結束后，打開金靶的濺射電源，對金靶材進行單獨濺射，金層的沉積厚度為50nm-1000nm；
(6)步驟(5)結束后，取出基片，對其進行剝離，剝離后即制得Cr/CrAu/Au結構的金電極。
2.根據權利要求1所述的一種金電極的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)的基片為玻璃基片、Si基片、Si/SiO2基片、長有非金屬薄膜材料的基片或者單晶基片。
3.根據權利要求1所述的一種金電極的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)的金靶材和金屬鉻靶材的純度均為99.99％。
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