[發明專利]一種金電極的制備方法

有效

• 申請號: 201410241889.2
• 申請日: 2014-05-30
• 公開（公告）號: CN103993287B
• 公開（公告）日: 2017-01-04
• 發明（設計）人: 李玲霞;于仕輝;許丹;董和磊;金雨馨
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/04
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所12201
• 代理人: 張宏祥

1.一種金電極的制備方法，具有如下步驟：

(1)清洗基片及光刻顯影

a.將基片放入丙酮中超聲清洗20分鐘，用去離子水沖洗后烘干；

b.將烘干后的基片放入酒精中清洗20分鐘，用去離子水沖洗后用氮氣吹干；

c.將光刻膠旋涂在基片上，厚度1um～5um，烘干后使用光刻掩膜版做曝光處理；

d.使用顯影液將電極圖形顯影出來；

(2)將步驟(1)顯影后的基片放入多靶共濺磁控濺射腔體中，在一個濺射靶上裝上金屬鉻靶材，在另一個濺射靶上裝上金靶材；

(3)當磁控濺射的真空度<1.0×10^-3Pa時，開始對鉻靶材進行濺射，鉻層的沉積厚度為5nm～200nm；

(4)步驟(3)結束后，同時打開鉻靶和金靶的濺射電源，同時對鉻靶材和金靶材進行濺射，使鉻、金合金的沉積厚度為3nm～200nm；

(5)步驟(4)結束后，打開金靶的濺射電源，對金靶材進行單獨濺射，金層的沉積厚度為50nm-1000nm；

(6)步驟(5)結束后，取出基片，對其進行剝離，剝離后即制得Cr/CrAu/Au結構的金電極。

2.根據權利要求1所述的一種金電極的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)的基片為玻璃基片、Si基片、Si/SiO₂基片、長有非金屬薄膜材料的基片或者單晶基片。

3.根據權利要求1所述的一種金電極的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)的金靶材和金屬鉻靶材的純度均為99.99％。