1.一種柔性BMN薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ哂腥缦虏襟E：

(1)采用固相燒結(jié)法制備BMN靶材和ZnO靶材：

按Bi_1.5MgNb_1.5O₇的化學(xué)計(jì)量比，稱取原料Bi₂O₃、MgO和Nb₂O₅，充分混合后壓制成型，于1150℃燒制Bi_1.5MgNb_1.5O₇及BMN靶材；

將ZnO粉末壓制成型，于1100℃燒制ZnO靶材；

(2)將清潔干燥的銅箔襯底放入磁控濺射樣品臺(tái)上；

(3)將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至P<7.0×10^-6Torr，然后加熱襯底至500～800℃；

(4)在步驟(3)系統(tǒng)中，使用Ar作為濺射氣體，濺射功率為50～200W，在銅箔上進(jìn)行沉積得到厚度為30～60nm的ZnO薄膜

(5)步驟(4)完成后，使用Ar和O₂作為濺射氣體，濺射功率為50～200W，在銅箔上進(jìn)行沉積得到厚度為150-300nm的Bi_1.5MgNb_1.5O₇薄膜；待襯底溫度降至100℃以下時(shí)，取出樣品；

(6)步驟(5)完成后，在Bi_1.5MgNb_1.5O₇薄膜上面利用掩膜版制備金屬電極，制得柔性Bi_1.5MgNb_1.5O₇即BMN薄膜壓控變?nèi)莨堋?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柔性BMN薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢霾襟E(1)的原料純度均在99％以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柔性BMN薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢霾襟E(2)的銅箔襯底為商用的普通銅箔。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柔性BMN薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢霾襟E(5)的Ar和O₂的純度均在99.99％以上，磁控濺射系統(tǒng)中的氧氣和氬氣的分壓比在1/15與1/4之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柔性BMN薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢霾襟E(4)或步驟(5)通過調(diào)節(jié)工藝參數(shù)或者沉積時(shí)間控制薄膜厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柔性BMN薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢霾襟E(6)的電極為圓形電極，直徑≤0.3mm，電極厚度為100～600nm，電極材料為Pt或者Au；電極制備方法為磁控濺射法或熱蒸鍍法。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種柔性BMN薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ涮卣髟谟冢苽涞娜嵝詨嚎刈內(nèi)莨艿恼{(diào)諧率≥25％，測(cè)試頻率為1MHz。