[發(fā)明專利]高速率、定向發(fā)射的單光子源器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410240989.3
• 申請(qǐng)日: 2014-05-30
• 公開（公告）號(hào): CN104009137B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 魏紅;李強(qiáng);徐紅星
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國科學(xué)院物理研究所
• 主分類號(hào): H01L33/04
• 分類號(hào): H01L33/04
• 代理公司: 北京智匯東方知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11391
• 代理人: 范曉斌,郭海彬

1.一種高速率、定向發(fā)射的單光子源器件，包括：

表面等離激元微腔結(jié)構(gòu)，用于形成表面等離激元微腔；以及

單光子源(10)，設(shè)置在所述表面等離激元微腔內(nèi)；

所述表面等離激元微腔結(jié)構(gòu)包括一維金屬納米波導(dǎo)(20)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單光子源器件，其特征在于，所述表面等離激元微腔結(jié)構(gòu)還包括金屬納米顆粒(30)；所述金屬納米顆粒(30)鄰近所述一維金屬納米波導(dǎo)(20)設(shè)置并與所述一維金屬納米波導(dǎo)(20)形成所述表面等離激元微腔。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單光子源器件，其特征在于，所述金屬納米顆粒(30)設(shè)置在所述一維金屬納米波導(dǎo)(20)的側(cè)面。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單光子源器件，其特征在于，所述金屬納米顆粒與所述一維金屬納米波導(dǎo)(20)的垂直距離為d，其中0＜d≤100nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單光子源器件，其特征在于，所述一維金屬納米波導(dǎo)(20)為納米線或納米溝槽。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單光子源器件，其特征在于，所述一維金屬納米波導(dǎo)(20)的橫截面為圓形、橢圓形、矩形、V形或Λ形。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單光子源器件，其特征在于，當(dāng)所述一維金屬納米波導(dǎo)(20)的橫截面為圓形，所述一維金屬納米波導(dǎo)(20)的橫截面直徑為10～500nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單光子源器件，其特征在于，形成所述一維金屬納米波導(dǎo)(20)和/或所述金屬納米顆粒(30)的材料選自金、銀、鉑、銅和鋁中的一種或多種。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的單光子源器件，其特征在于，所述金屬納米顆粒(30)的形狀為納米棒、納米球、納米三角板或納米立方體。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的單光子源器件，其特征在于，所述單光子源(10)為單個(gè)原子、熒光分子、半導(dǎo)體量子點(diǎn)或金剛石色心。