[發(fā)明專利]OLED器件及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410240426.4 | 申請日： | 2014-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN104022229A | 公開（公告）日： | 2014-09-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 吳長晏;廖金龍;閆光 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L51/52 | 分類號： | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | oled 器件 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種OLED器件，包括基板，所述基板之上依次設置有多個功能層，其特征在于，
所述多個功能層中的一個功能層為過渡功能層，所述過渡功能層包括材質相同的第一子層和位于所述第一子層之上的第二子層；
所述第一子層采用第一制程制備，所述第二子層采用不同于所述第一制程的第二制程制備。
2.根據(jù)權利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述第一制程為溶液制程；所述第二制程選自真空熱蒸鍍、有機氣相沉積、激光感應熱成像、輻射誘發(fā)升華轉印中的任意一種。
3.根據(jù)權利要求2所述的OLED器件，其特征在于，在所述基板之上依次設置有多個功能層；
所述基板與所述第一子層之間的功能層均采用第一制程制備，所述第二子層之上的功能層均采用第二制程制備。
4.根據(jù)權利要求3所述的OLED器件，其特征在于，在所述基板之上依次設置的所述多個功能層包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極。
5.根據(jù)權利要求4所述的OLED器件，其特征在于，所述過渡功能層為所述陽極、所述空穴注入層、所述空穴傳輸層、所述發(fā)光層、所述電子傳輸層、所述電子注入層以及所述陰極中的任一種。
6.根據(jù)權利要求3所述的OLED器件，其特征在于，在所述基板之上依次設置的所述多個功能層包括陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及陰極。
7.根據(jù)權利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述過渡功能層為所述陽極、所述空穴傳輸層、所述發(fā)光層、所述電子傳輸層以及所述陰極中的任一種。
8.根據(jù)權利要求2所述的OLED器件，其特征在于，所述溶液制程選自旋涂法、刮涂法、電噴涂布法、狹縫式涂布法、條狀涂布法、浸沾式涂布法、滾筒式涂布法、噴墨印刷法、噴嘴印刷法、凸板印刷法中的任何一種。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-8任一項所述的OLED器件。
10.一種如權利要求1-8任一項所述的OLED器件的制備方法，其特征在于，包括：
提供一基板；
在所述基板上依次形成多個功能層，其中，所述多個功能層中的一個功能層為過渡功能層，所述過渡功能層包括材質相同的第一子層和形成在所述第一子層之上的第二子層；
其中，所述過渡功能層的制備過程包括：采用第一制程制備所述第一子層，及采用不同于第一制程的第二制程制備所述第二子層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件；專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射；專門適用于將這些輻射能轉換為電能，或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的，如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
