[發明專利]輻射檢測設備及相關方法有效
| 申請號： | 201410239971.1 | 申請日： | 2014-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN105223603B | 公開（公告）日： | 2018-07-06 |
| 發明（設計）人： | 斯瑞尼迪·拉馬錢德拉;徐悟生;A·M·斯里瓦斯塔瓦;戈匹·錢德蘭·拉馬錢德蘭;普拉三斯·庫瑪·納瑪瓦;謝爾蓋·伊萬諾維奇·杜林司基;海倫·克萊爾·克力門特 | 申請（專利權）人： | 通用電氣公司 |
| 主分類號： | G01T1/202 | 分類號： | G01T1/202 |
| 代理公司： | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人： | 張東梅 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 閃爍體 單晶 輻射檢測設備 雪崩光電二極管 方法和設備 沖擊水平 鐠摻雜 耦合的 光子 檢測 | ||
1.一種用于在嚴苛環境中檢測高能輻射的方法，該方法包括：
在大于175℃的溫度下使閃爍體單晶暴露于所述高能輻射中；和
使用與所述閃爍體單晶耦合的雪崩光電二極管來檢測所述高能輻射，其中
所述閃爍體單晶包括選自以下的鐠摻雜組合物：(LaxY1-x)2Si2O7：Pr，ABCl3-yXy：Pr，A2NaLaCl6-yXy：Pr或其組合，其中
A是銫、銣、鉀、鈉、銀或其組合；
B是鈣、鋇、鍶、鎂、鎘、鋅或其組合；
X是溴、碘或其組合；并且
0＜x＜1且0≤y＜3。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述閃爍體單晶在大于200℃的溫度下的發光強度大于所述閃爍體單晶在室溫下的發光強度的60％。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述閃爍體單晶在大于200℃的溫度下的發光強度大于所述閃爍體單晶在室溫下的發光強度的75％。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述閃爍體單晶產生的光子的發射波長在275納米至350納米范圍內。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述閃爍體單晶的鐠含量在0.5摩爾％至10摩爾％的范圍內。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述閃爍體單晶是(LaxY1-x)2Si2O7：Pr，0.2＜x＜0.8。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述閃爍體單晶是CsCaCl3：Pr。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述閃爍體單晶是Cs2(NaLaCl6-yBry：Pr，0≤y≤1。
9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，將所述閃爍體單晶在大于20Grm的沖擊水平下暴露于高能輻射中。
10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述高能輻射是伽馬輻射。
11.一種用于在嚴苛環境中檢測高能輻射的設備，該設備包括：
閃爍體單晶；和
與所述閃爍體單晶耦合的雪崩光電二極管，其中
所述閃爍體單晶處于大于175℃的溫度和20Grm至30Grm范圍內的沖擊水平下，且包括選自以下的鐠摻雜組合物：(LaxY1-x)2Si2O7：Pr，ABCl3-yXy：Pr，A2NaLaCl6-yXy：Pr或其任意組合；其中
A是銫、銣、鉀、鈉或其任意組合；
B是鈣、鋇、鍶、鎂、鎘、鋅或其任意組合；
X是溴、碘或其任意組合；并且
0＜x＜1且0≤y＜3。
12.如權利要求11所述的設備，其特征在于，所述閃爍體單晶在大于200℃的溫度下的發光強度大于所述閃爍體單晶在室溫下的發光強度的60％。
13.如權利要求11所述的設備，其特征在于，所述閃爍體單晶在大于200℃的溫度下的發光強度大于所述閃爍體單晶在室溫下的發光強度的75％。
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