[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制作方法、以及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410239888.4
• 申請日: 2014-05-30
• 公開（公告）號: CN104022127A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊盛際;董學(xué);王海生;薛海林;劉英明;趙衛(wèi)杰;劉紅娟;丁小梁
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司;北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 北京同達(dá)信恒知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板，包括：襯底基板，位于所述襯底基板上的柵極和柵線，位于所述柵極和柵線所在膜層上的有源層，位于所述有源層上的漏極、源極和數(shù)據(jù)線，位于所述漏極、源極和數(shù)據(jù)線所在膜層上且通過第一過孔與所述漏極電性連接的像素電極，以及位于所述像素電極所在膜層上且與所述像素電極電性絕緣的公共電極層；其特征在于，

所述公共電極層包括多個同層設(shè)置且相互絕緣的自電容電極；

所述陣列基板還包括：

多條導(dǎo)線，位于所述漏極、源極和數(shù)據(jù)線所在膜層之上，與所述漏極、源極、數(shù)據(jù)線和像素電極電性絕緣；以及，與所述公共電極層異層設(shè)置，且每條所述導(dǎo)線通過第二過孔與對應(yīng)的自電容電極電性連接。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)線所在膜層位于所述漏極、源極和數(shù)據(jù)線所在膜層和所述公共電極層之間。

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)線所在膜層位于所述漏極、源極和數(shù)據(jù)線所在膜層和所述像素電極所在膜層之間。

4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述漏極、源極和數(shù)據(jù)線所在膜層和所述像素電極所在膜層之間設(shè)置有包含所述第一過孔的第一鈍化層；

所述導(dǎo)線所在膜層位于所述第一鈍化層和所述像素電極所在膜層之間；

所述陣列基板還包括：

第一絕緣層，位于所述導(dǎo)線所在膜層和所述像素電極所在膜層之間，且包含所述第一過孔和第二過孔；

其中，所述像素電極通過所述第一絕緣層包含的第一過孔和所述第一鈍化層包含的第一過孔，與所述漏極電性連接；所述導(dǎo)線通過所述第一絕緣層包含的第二過孔，與所述自電容電極電性連接。

5.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)線所在膜層位于所述像素電極所在膜層和所述公共電極層之間。

6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極所在膜層和所述公共電極層之間設(shè)置有第二鈍化層；

所述導(dǎo)線所在膜層位于所述第二鈍化層和所述公共電極層之間；

所述陣列基板還包括：

第二絕緣層，位于所述導(dǎo)線所在膜層和所述公共電極層之間，且包含所述第二過孔；

其中，所述導(dǎo)線通過所述第二絕緣層包含的第二過孔，與所述自電容電極電性連接。

7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)線所在膜層位于所述公共電極層之上。

8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，還包括：

第三絕緣層，位于所述導(dǎo)線所在膜層和所述公共電極層之間，且包含所述第二過孔；

其中，所述導(dǎo)線通過所述第三絕緣層包含的第二過孔，與所述自電容電極電性連接。

9.如權(quán)利要求1～8任一所述的陣列基板，其特征在于，所述導(dǎo)線在所述襯底基板上的正投影位于所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影內(nèi)；和/或

所述導(dǎo)線在所述襯底基板上的正投影位于所述柵線在所述襯底基板上的正投影內(nèi)。

10.如權(quán)利要求1～8任一所述的陣列基板，其特征在于，將所述導(dǎo)線作為在顯示掃描時間內(nèi)向所述公共電極層供電的公共電極線使用。

11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～10任一項所述的陣列基板。

12.一種如權(quán)利要求1所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上依次形成所述柵極和柵線所在膜層，有源層，以及所述漏極、源極和數(shù)據(jù)線所在膜層；

在所述漏極、源極和數(shù)據(jù)線所在膜層上形成所述通過第一過孔與所述漏極電性連接的像素電極，位于所述像素電極所在膜層上且與所述像素電極電性絕緣的公共電極層，以及多條導(dǎo)線；

其中，所述公共電極層包括多個同層設(shè)置且相互絕緣的自電容電極；所述導(dǎo)線與所述漏極、源極、數(shù)據(jù)線和像素電極電性絕緣，與所述公共電極層異層設(shè)置，且每條所述導(dǎo)線通過第二過孔與對應(yīng)的自電容電極電性連接。