[發明專利]去除偽柵的方法

有效

• 申請號: 201410239069.X
• 申請日: 2014-05-30
• 公開（公告）號: CN105185706B
• 公開（公告）日: 2019-01-22
• 發明（設計）人: 張海洋;張城龍
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 高靜;駱蘇華

1.一種去除偽柵的方法，其特征在于，包括：

提供襯底，

在所述襯底上形成多個偽柵結構，偽柵結構包括偽柵；

對所述偽柵進行第一刻蝕，去除部分厚度的偽柵，形成開口，所述第一刻蝕減小尺寸不同的偽柵之間的刻蝕速率差異，所述第一刻蝕使得尺寸不同的偽柵經第一刻蝕后剩余的厚度相同，所述第一刻蝕為脈沖等離子體刻蝕；

對剩余的偽柵進行第二刻蝕，去除部分厚度的偽柵，使所述開口加深，所述第二刻蝕減少工藝過程中真空紫外線對襯底的照射，所述第二刻蝕為表面波等離子體刻蝕；

對剩余的偽柵進行第三刻蝕，去除偽柵使開口露出所述襯底，所述第三刻蝕為濕法刻蝕。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一刻蝕和第二刻蝕去除偽柵的厚度占所述偽柵厚度的30％到70％。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用脈沖等離子體刻蝕對所述偽柵進行第一刻蝕的步驟包括：采用刻蝕機進行等離子體刻蝕，采用脈沖方式輸出刻蝕機的源功率和偏置功率，并使源功率和偏置功率的脈沖周期同步。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，采用脈沖等離子體刻蝕對所述偽柵進行第一刻蝕的步驟包括：刻蝕機的源功率在100瓦到3000瓦范圍內，偏置功率在100瓦到1000瓦的范圍內。

5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，采用表面波等離子體刻蝕對剩余的偽柵進行第二刻蝕的步驟包括：采用微波處理裝置進行所述表面波等離子體刻蝕，所述微波處理裝置具有徑向線縫隙天線。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在采用脈沖等離子體刻蝕對所述偽柵進行第一刻蝕的步驟中，第一刻蝕的刻蝕氣體包括溴化氫、氧氣、氦氣的混合氣體。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在采用表面波等離子體刻蝕對剩余的偽柵進行第二刻蝕中，所述第二刻蝕的刻蝕氣體包括溴化氫、氧氣、氦氣的混合氣體。

8.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕的刻蝕劑采用四甲基氫氧化銨溶液。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成偽柵結構的步驟中，所述偽柵的材料為多晶硅、氮化硅或無定形碳。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成偽柵結構的步驟中，所述偽柵結構還包括形成于襯底表面的柵極介質層，所述偽柵形成于柵極介質層表面，所述柵極介質層的材料為氧化鉿。

11.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在形成偽柵結構的步驟之后，進行第一刻蝕之前，還包括：在偽柵結構之間形成與偽柵結構齊平的層間介質層。

12.如權利要求11所述的方法，其特征在于，所述層間介質層的材料為氧化硅。