[發(fā)明專(zhuān)利]有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410238986.6
• 申請(qǐng)日: 2014-05-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104218064B
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柳春基;樸鮮;李律圭
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/32;H01L51/52
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 王占杰;韓芳

提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括：薄膜晶體管，包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、位于有源層和柵電極之間的第一絕緣層以及位于柵電極與源電極和漏電極之間的第二絕緣層；焊盤(pán)電極，包括與源電極和漏電極位于同一層上的第一焊盤(pán)層和位于第一焊盤(pán)層上的第二焊盤(pán)層；第三絕緣層，覆蓋源電極和漏電極以及焊盤(pán)電極的端部；像素電極，包括位于第三絕緣層中的開(kāi)口中的半透射導(dǎo)電層；保護(hù)層，位于像素電極和第一絕緣層之間；第四絕緣層，在與形成在第三絕緣層中的開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的位置中具有開(kāi)口，第四絕緣層覆蓋焊盤(pán)電極的端部；發(fā)射層，位于像素電極上；以及相對(duì)電極，位于發(fā)射層上。

本申請(qǐng)要求于2013年5月30日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2013-0062114號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)和于2014年5月13日在韓國(guó)專(zhuān)利產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2014-0057451號(hào)韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，上述韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)的公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備和一種制造該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光二級(jí)管(OLED)顯示設(shè)備通常包括空穴注入電極、電子注入電極和形成在空穴注入電極和電子注入電極之間的有機(jī)發(fā)光層。OLED顯示設(shè)備是當(dāng)從空穴注入電極注入的空穴和從電子注入電極注入的電子在有機(jī)發(fā)光層中復(fù)合至其后逐漸消失的激發(fā)態(tài)來(lái)發(fā)光。

與其他類(lèi)型的顯示裝置相比，由于其諸如功耗相對(duì)低、亮度相對(duì)高以及響應(yīng)速度相對(duì)快的高質(zhì)量特性，OLED顯示設(shè)備作為下一代顯示器而備受關(guān)注。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種具有優(yōu)異的顯示質(zhì)量的有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備和一種制造該有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的方法。

根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備，所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備包括：薄膜晶體管，包括有源層、柵電極、源電極、漏電極、位于有源層和柵電極之間的第一絕緣層以及位于柵電極與源電極和漏電極之間的第二絕緣層；焊盤(pán)電極，包括與源電極和漏電極位于同一層上的第一焊盤(pán)層和位于第一焊盤(pán)層上的第二焊盤(pán)層；第三絕緣層，覆蓋源電極和漏電極以及焊盤(pán)電極的端部；像素電極，包括位于第三絕緣層中的開(kāi)口中的半透射導(dǎo)電層；保護(hù)層，位于像素電極和第一絕緣層之間；第四絕緣層，在與形成在第三絕緣層中的開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的位置中具有開(kāi)口，第四絕緣層覆蓋焊盤(pán)電極的端部；發(fā)射層，位于像素電極上；以及相對(duì)電極，位于發(fā)射層上。

保護(hù)層可以包括與第二焊盤(pán)層的材料相同的材料。

第二焊盤(pán)層可以包括透明導(dǎo)電氧化物。

透明導(dǎo)電氧化物可以包括從由氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、氧化銦(In₂O₃)、氧化銦鎵(IGO)和氧化鋁鋅(AZO)組成的組中選擇的一種或更多種。

保護(hù)層的厚度可以在至的范圍內(nèi)。

源電極和柵電極可以具有電子遷移率不同的多個(gè)異質(zhì)導(dǎo)電層的堆疊結(jié)構(gòu)。

源電極和漏電極可以包括包含鉬的層和包含鋁的層。

源電極和漏電極可以包括第一金屬層和位于第一金屬層上的第二金屬層。

所述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備還可以包括：電容器，包括與有源層位于同一層上的第一電極和與柵電極位于同一層上的第二電極。

電容器的第一電極可以包括利用離子雜質(zhì)摻雜的半導(dǎo)體材料。

電容器的第二電極可以包括透明導(dǎo)電氧化物。

電容器還可以包括與源電極和漏電極位于同一層上的第三電極。