[發明專利]具有共面形貌的多高度FINFET

有效

• 申請號: 201410238899.0
• 申請日: 2014-05-30
• 公開（公告）號: CN104218086B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 程慷果;B·B·多里斯;P·哈希米;A·卡基菲魯茲;A·雷茨尼采克
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所11247
• 代理人: 賀月嬌,于靜

1.一種半導體結構，包括：

包括第一半導體表面和第二半導體表面的半導體襯底，其中所述第一半導體表面位于所述第二半導體表面上方并且從所述第二半導體表面垂直偏移；

氧化物區域，其直接位于所述第一半導體表面和所述第二半導體表面中的至少一者上；

具有第一高度的第一組第一半導體鰭，其位于所述半導體襯底的所述第一半導體表面上方；以及

具有第二高度的第二組第二半導體鰭，其位于所述第二半導體表面上方，其中所述第二高度不同于所述第一高度，并且其中每個第一半導體鰭和每個第二半導體鰭具有最上表面，并且所述第一和第二半導體鰭的所述最上表面彼此共面。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述氧化物區域僅直接位于所述半導體襯底的所述第一半導體表面上。

3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述氧化物區域僅直接位于所述半導體襯底的所述第二半導體表面上。

4.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述氧化物區域直接位于所述第一半導體表面和所述第二半導體表面二者上。

5.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，絕緣體層位于所述第一半導體表面的不包含所述第一組第一半導體鰭的部分上。

6.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述第一和第二組中的每一個半導體鰭都由硅構成。

7.根據權利要求1所述的半導體結構，還包括：柵極結構，其跨騎每個第一半導體鰭和每個第二半導體鰭。

8.根據權利要求7所述的半導體結構，其中，所述柵極結構包括柵極電介質和柵極導體。

9.根據權利要求8所述的半導體結構，其中，所述柵極電介質存在于所述第一和第二半導體鰭中的每一個的垂直側壁表面和最上表面上。

10.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述半導體襯底包括體半導體材料。

11.一種半導體結構，包括：

包括第一半導體表面和第二半導體表面的體半導體襯底，其中所述第一半導體表面位于所述第二半導體表面上方并且從所述第二半導體表面垂直偏移；

第一氧化物區域，其直接位于所述第一半導體表面上；

第二氧化物區域，其直接位于所述第二半導體表面上，其中所述第一氧化物區域的最上表面位于所述第二氧化物區域的最上表面上方并且從所述第二氧化物區域的最上表面垂直偏移；

具有第一高度的第一組第一半導體鰭，其直接位于所述第一氧化物區域的最上表面上；以及

具有第二高度的第二組第二半導體鰭，其直接位于所述第二氧化物區域的最上表面上，其中所述第二高度大于所述第一高度，并且其中每個第一半導體鰭和每個第二半導體鰭具有最上表面，并且所述第一和第二半導體鰭的所述最上表面彼此共面。

12.一種形成半導體結構的方法，包括：

提供包括第一半導體表面和第二半導體表面的半導體襯底，其中所述第一半導體表面位于所述第二半導體表面上方并且從所述第二半導體表面垂直偏移，并且其中在所述半導體襯底的所述第一半導體表面的一部分上存在成對的間隔開的半導體心軸結構；

在所述第一半導體表面和所述第二半導體表面中的至少一者上形成氧化物區域；

從每個半導體心軸結構的一個側壁表面形成具有第一高度且位于所述第一半導體表面上方的第一組第一半導體鰭，并且從每個半導體心軸結構的另一側壁表面形成具有第二高度且位于所述第二半導體表面上方的第二組第二半導體鰭，其中所述第二高度不同于所述第一高度，并且其中所述第一半導體鰭和所述第二半導體鰭各自具有最上表面，并且其中所述第一半導體鰭的所述最上表面與所述第二半導體鰭的所述最上表面共面；以及

從所述第一半導體表面的部分的頂上去除每個心軸結構。

13.根據權利要求12所述的方法，還包括：在所述第一半導體表面的先前被每個半導體心軸結構占據的部分上形成絕緣體層。

14.根據權利要求12所述的方法，還包括：形成跨騎所述第一和第二半導體鰭中的每一個的柵極結構。