1.一種全透型薄膜壓控變?nèi)莨埽▽щ姴Ａбr底和電極，其特征在于，在玻璃襯底(1)的上面依次設(shè)置有ITO薄膜(2)、BST薄膜(3)和ITO電極(4)；

所述ITO薄膜(2)即摻錫氧化銦薄膜，化學式為Sn_xIn_1-xO，其中0.02<x<0.04；

所述BST薄膜(3)即鈦酸鍶鋇基薄膜，化學式為Ba_xSr_1-xTiO₃，其中x＝0.3～0.7；

該全透型薄膜壓控變?nèi)莨艿闹苽浞椒ǎ哂腥缦虏襟E：

(1)采用固相燒結(jié)法制備Ba_xSr_1-xTiO₃靶材及ITO靶材；

按Ba_xSr_1-xTiO₃，其中x＝0.3～0.7對應(yīng)元素的化學計量比稱取BaCO₃、SrCO₃和TiO₂，經(jīng)充分混合后，壓制成型，再置于箱式電爐中逐步升溫至1150℃，并保溫10小時，制得Ba_xSr_1-xTiO₃靶材；

按Sn_xIn_1-xO，其中0.02<x<0.04對應(yīng)元素的化學計量比稱取SnO₂和In₂O₃，經(jīng)充分混合后，壓制成型，再置于箱式電爐中逐步升溫至1150℃，并保溫10小時，制得ITO靶材；

(2)將清潔干燥的襯底放入磁控濺射樣品臺上；

(3)將磁控濺射系統(tǒng)的本底真空抽至P＝1.0×10^-6～7.0×10^-6Torr，然后加熱襯底至400～500℃；

(4)在步驟(3)系統(tǒng)中，使用Ar和O₂作為濺射氣體，濺射功率為50～200W，進行沉積得到厚度為150～600nm的ITO導電薄膜電極；

(5)步驟(4)停止后，使用Ar和O₂作為濺射氣體，濺射功率為50～200W，進行沉積得到厚度為150～400nm的Ba_xSr_1-xTiO₃薄膜；

(6)步驟(5)停止后，待襯底溫度降至100℃以下時，取出制品，在氧氣氣氛爐中進行后退火處理；

(7)在步驟(5)退火處理后的Ba_xSr_1-xTiO₃薄膜上面，利用掩膜版，采用磁控濺射法制備厚度為100～600nm的ITO透明電極，制得全透型Ba_xSr_1-xTiO₃薄膜壓控變?nèi)莨堋?/p>

2.根據(jù)權(quán)利要求1的一種全透型薄膜壓控變?nèi)莨埽涮卣髟谟冢霾襟E(1)的原料BaCO₃、SrCO₃和TiO₂的純度均在99％以上；SnO₂和In₂O₃的純度均在99.9％以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的一種全透型薄膜壓控變?nèi)莨埽涮卣髟谟冢霾襟E(2)的襯底為石英、普通玻璃或者藍寶石襯底。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的一種全透型薄膜壓控變?nèi)莨埽涮卣髟谟冢霾襟E(4)或(5)的Ar和O₂的純度均在99.99％以上，磁控濺射系統(tǒng)中的氧氣和氬氣的分壓比在1/15與1/4之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1的一種全透型薄膜壓控變?nèi)莨埽涮卣髟谟冢霾襟E(4)或(5)沉積得到的薄膜厚度通過調(diào)節(jié)工藝參數(shù)或者沉積時間來控制。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的一種全透型薄膜壓控變?nèi)莨埽涮卣髟谟冢霾襟E(6)的氧氣氛爐中通入的氧氣壓強≤0.1Mpa，氧氣純度≥99％。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的一種全透型薄膜壓控變?nèi)莨埽涮卣髟谟冢霾襟E(6)的退火溫度為700℃，退火時間為5～60min。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的一種全透型薄膜壓控變?nèi)莨埽涮卣髟谟冢霾襟E(7)的ITO透明電極為圓形電極，直徑為0.1～0.3mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的一種全透型薄膜壓控變?nèi)莨埽涮卣髟谟冢撊感虰a_xSr_1-xTiO₃薄膜變?nèi)莨艿耐高^率≥70％；調(diào)諧率≥40％，測試頻率為100KHz。