[發明專利]一種MOCVD半導體處理裝置及制作方法

在審

• 申請號: 201410238194.9
• 申請日: 2011-07-26
• 公開（公告）號: CN103985659A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 賀小明;倪圖強;萬磊;楊平
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01J37/32
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種MOCVD半導體處理裝置，包括處理腔室，所述處理腔室用于通入源氣體，對放置于處理腔室內的基片進行相應處理，且所述處理腔室還用于容納等離子體，所述等離子體用于進行原位化學清潔，所述處理腔室內具有多個處理部件，其特征在于，還包括：

抗刻蝕層，覆蓋于所述處理腔室和/或處理部件的暴露于等離子體的表面，所述抗刻蝕層用于在進行原位化學清潔時抵抗等離子體的刻蝕和保護所述處理腔室和/或處理部件，所述抗刻蝕層的材質為陶瓷材質，所述陶瓷材質為Y₂O₃、Al₂O₃、YAG、YF₃、Er₂O₃、Gd₂O₃、RhO₂、Ir₂O₃、AlN、SiC、Si₃N₄中的一種或者其中的組合。

2.如權利要求1所述的MOCVD半導體處理裝置，其特征在于，所述處理腔室和/或所述處理部件的材質與所述抗刻蝕層的材質相同或者不相同。

3.如權利要求1所述的MOCVD半導體處理裝置，其特征在于，所述處理腔室和/或所述處理部件的材質為不銹鋼材料。

4.一種MOCVD半導體處理裝置的制作方法，包括：

提供處理腔室或處理部件，所述處理腔室用于通入源氣體，對放置于處理腔室內的基片進行相應處理，所述處理腔室還用于容納等離子體和所述處理部件；所述等離子體用于對所述處理腔室和所述處理部件進行原位化學清潔，其特征在于，還包括：

在所述處理腔室和/或所述處理部件的暴露于等離子體的表面形成抗刻蝕層，所述抗刻蝕層用于在原位化學清潔時抵抗等離子體刻蝕和保護所述處理腔室和/或處理部件，所述抗刻蝕層的材質為陶瓷材質，所述陶瓷材質為Y₂O₃、Al₂O₃、YAG、YF₃、Er₂O₃、Gd₂O₃、RuO₂、Ir₂O₃、AlN、SiC、Si₃N₄中的一種或者其中的組合。

5.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述處理腔室和/或所述處理部件的材質與所述抗刻蝕層的材質相同或者不相同。

6.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于，在所述抗刻蝕層使用一段時間后，利用化學機械研磨、清洗、刻蝕或者機械的方法將抗刻蝕層去除，重新在所述處理腔室和/或所述處理部件的表面形成新的抗刻蝕層。

7.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述抗刻蝕層的制作方法為等離子體噴涂工藝、化學氣相沉積工藝、等離子體增強化學氣相沉積工藝、物理氣相沉積工藝、化學溶膠凝膠工藝、化學濕法涂層工藝或者其中的組合。

8.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述處理腔室和/或所述處理部件的材質為不銹鋼材料。