[發(fā)明專利]用于EUV光刻設(shè)備的真空框架及密封方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410238163.3 | 申請日: | 2014-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN105223779B | 公開(公告)日: | 2017-08-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 戴樂薇;高原;吳飛 | 申請(專利權(quán))人: | 上海微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237 | 代理人: | 屈蘅 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 euv 光刻 設(shè)備 真空 框架 密封 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種集成電路裝備制造領(lǐng)域,尤其涉及一種用于EUV光刻設(shè)備的真空密封裝置及密封方法。
背景技術(shù)
EUVL(Extreme ultraviolet lithography)是最具應(yīng)用前景的下一代光刻技術(shù)。與傳統(tǒng)光刻機相比,一方面,EUVL的波長更短達到5~20nm,可以實現(xiàn)更高分辨率。另一方面也面臨新的問題。EUVL最顯著特點之一是采用波長為13.5nm的極紫外光,任何物質(zhì)對該波長輻射具有強烈的吸收效應(yīng),因此整個光刻機系統(tǒng)需在高真空環(huán)境下工作,由此涉及到的高真空獲取、污染控制及腔室隔離成為EUVL發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。
在本發(fā)明中,提出一種能夠?qū)崿F(xiàn)高度真空環(huán)境的EUVL光刻機整機框架結(jié)構(gòu),以及主基板由下向上的裝配方式。還有大真空腔的劃分方式,以及主真空腔與工件臺真空腔之間的密封裝置。
如US6549264 B2所述,提出一種建立在光刻系統(tǒng)上的真空密封腔,其對于掩膜片、投影光學(xué)系統(tǒng)、晶圓等不同結(jié)構(gòu)有不同的支撐腔,且壓強不同。通過隔板將大真空體積劃分為幾個小真空體積,中間通過柔性解耦來實現(xiàn)隔振。這樣有利于控制光刻系統(tǒng)中灰塵污染及碳污染,可提高光刻機的隔振能力便于實現(xiàn)一個用于光刻系統(tǒng)中的真空腔及密封組件。由外圍組件32及內(nèi)部框架34組成的真空設(shè)備隔離了外部環(huán)境的噪音和振動,此真空裝備有三個壓強不同的區(qū)域。密封組件75、78分別連接托盤40與內(nèi)部腔34、腔34與外圍腔32,從而將掩膜區(qū)域31與光學(xué)區(qū)域33隔離,同樣方法將光學(xué)區(qū)域與晶圓區(qū)域隔開。光束穿過的狹縫很小足以保證不同區(qū)域的壓強不同。利用泵97、98、99以保證真空腔的真空度。但該方案結(jié)構(gòu)過于復(fù)雜,實行可靠性低。
如專利US6279601B,給出一種應(yīng)用于EUVL的流體進行密封結(jié)構(gòu)。專利US6279601B中公開的圖2中,105(垂向)與160(水平向)是一對需密封對象,105內(nèi)壁周邊伸出懸臂230,160外圍周邊又一圈凹槽,230端部向下深入160的凹槽底部并留有一定縫隙。在160的凹槽導(dǎo)入低壓流體250,將托盤上下區(qū)域分成兩個具有不同壓強的區(qū)域,當Pw與Po不同時懸臂兩面的液體間將有高度差;當Pw與Po壓差很大時,凹槽中液體會被壓出凹槽。此密封結(jié)構(gòu)保證了兩個不同區(qū)域具有不同壓強、105外部的振動不被傳到內(nèi)部托盤、保證兩個腔體壓差維持在設(shè)計范圍內(nèi)。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺陷,本發(fā)明提供一種用于高真空環(huán)境的整機框架結(jié)構(gòu)以及其密封裝置和裝配方法,它能夠?qū)⒅髡婵涨慌c工件臺真空腔隔離,并且通過真空泵抽排來實現(xiàn)動態(tài)平衡。
為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明公開一種用于EUV光刻設(shè)備的真空框架,其特征在于,包括:一主基板,該主基板將該真空框架的內(nèi)部空間分割成一主真空腔和一工件臺真空腔,該主真空腔內(nèi)包括該EUV光刻設(shè)備的物鏡和掩模臺,該工件臺真空腔內(nèi)包括該EUV光刻設(shè)備的工件臺和測量系統(tǒng)。
更進一步地,該主基板通過一主動減振器與該真空框架的基礎(chǔ)框架連接。
更進一步地,該主基板與該基礎(chǔ)框架之間的間隙小于3-5mm。
更進一步地,該主基板通過一楔形調(diào)節(jié)單元調(diào)整該主基板與該基礎(chǔ)框架之間的間隙。
更進一步地,該楔形調(diào)節(jié)單元包括與該基礎(chǔ)框架連接的一固定底板和一導(dǎo)向塊,該導(dǎo)向塊與一楔形塊連接,該固定底板上包括一調(diào)節(jié)螺栓,該調(diào)節(jié)螺栓用于使該楔形塊沿該導(dǎo)向塊上下移動。
更進一步地,該主基板上還包括一位置傳感器。
更進一步地,該基礎(chǔ)框架包括一向該工件臺真空腔內(nèi)延伸的U型臺,該主基板包括一足部,該足部放置于該U型臺內(nèi),該足部與該U型臺之間填充金屬密封液。
更進一步地,該金屬密封液為含鎵、銦、錫的金屬或合金。
更進一步地,該主基板與該主真空腔包括一密封膜。
本發(fā)明同時公開一種EUV光刻設(shè)備的真空框架的安裝方法,其特征在于:包括以下步驟:
步驟一,將主基板安裝至工件臺真空腔的基礎(chǔ)框架上;步驟二,將主真空腔的基礎(chǔ)框架安裝在工件臺真空腔的基礎(chǔ)框架上;其中,步驟一還包括以下步驟:步驟1.1,先將主基板,放置在提升工裝上,推至安裝位下方;步驟1.2,利用提升工裝將主基板由下向上托至工件臺真空腔內(nèi)安裝位置;步驟1.3,用螺栓將主基板固定在工件臺真空腔內(nèi);步驟1.4,通過工件臺真空腔內(nèi)的減振器安裝孔,將主基板蓋板安裝在主基板上,將減振器安裝至主基板蓋板上,托起主基板組件,將螺栓撤去。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海微電子裝備有限公司,未經(jīng)上海微電子裝備有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410238163.3/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F7-00 圖紋面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工藝;圖紋面照相制版用的材料,如:含光致抗蝕劑的材料;圖紋面照相制版的專用設(shè)備
G03F7-004 .感光材料
G03F7-12 .網(wǎng)屏印刷模或類似印刷模的制作,例如,鏤花模版的制作
G03F7-14 .珂羅版印刷模的制作
G03F7-16 .涂層處理及其設(shè)備
G03F7-20 .曝光及其設(shè)備
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗設(shè)備、驗證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
- 色彩調(diào)整設(shè)備、顯示設(shè)備、打印設(shè)備、圖像處理設(shè)備
- 驅(qū)動設(shè)備、定影設(shè)備和成像設(shè)備
- 發(fā)送設(shè)備、中繼設(shè)備和接收設(shè)備
- 定點設(shè)備、接口設(shè)備和顯示設(shè)備
- 傳輸設(shè)備、DP源設(shè)備、接收設(shè)備以及DP接受設(shè)備
- 設(shè)備綁定方法、設(shè)備、終端設(shè)備以及網(wǎng)絡(luò)側(cè)設(shè)備
- 設(shè)備、主設(shè)備及從設(shè)備
- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





