[發明專利]通過原位蒸汽氧化形成嵌入式閃存的共源極氧化物

有效

• 申請號: 201410236347.6
• 申請日: 2014-05-29
• 公開（公告）號: CN104916641B
• 公開（公告）日: 2018-04-10
• 發明（設計）人: 鄭有宏;吳政達;杜友倫;蔡嘉雄;李汝諒;李一庭;高銘祥
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,孫征

1.一種存儲單元，包括：

共源極氧化物層，位于沿著半導體襯底的頂面設置的源極區域上方；

第一漏極區域，沿著所述半導體襯底的所述頂面設置在通過第一溝道區域與所述源極區域橫向地間隔開的位置處；以及

共擦除柵極，設置在所述共源極氧化物層上，其中，所述共擦除柵極包括的基本平坦的底面與所述共源極氧化物層的基本平坦的頂面鄰接，

其中，所述共源極氧化物層包括與所述基本平坦的頂面相對并且鄰接所述源極區域的彎曲的底面。

2.根據權利要求1所述的存儲單元，其中，所述源極區域包括的摻雜濃度大于或等于1E19cm^-3。

3.根據權利要求1所述的存儲單元，其中，所述共源極氧化物層的密度大于使用濕式爐氧化工藝所形成的氧化物的密度。

4.根據權利要求1所述的存儲單元，還包括：

第二漏極區域，沿著所述半導體襯底的頂面在所述源極區域的與所述第一漏極區域相對側上，設置在通過第二溝道區域與所述源極區域橫向地間隔開的位置處；以及

第一浮置柵極，通過鄰接所述共源極氧化物層的第一浮置柵極氧化物層與所述第一溝道區域間隔開；以及

第二浮置柵極，通過鄰接所述共源極氧化物層的第二浮置柵極氧化物層與所述第二溝道區域間隔開。

5.根據權利要求4所述的存儲單元，還包括：

第一控制柵極，設置在所述第一浮置柵極上方；以及

第二控制柵極，設置在所述第二浮置柵極上方。

6.根據權利要求5所述的存儲單元，其中，所述第一控制柵極通過附加的介電材料和鄰接所述第一控制柵極的第一間隔件結構與所述共擦除柵極間隔開，其中，所述第一間隔件結構的厚度大約等于介于所述第一控制柵極和所述共擦除柵極之間的所述附加的介電材料的厚度。

7.根據權利要求1所述的存儲單元，還包括：

第一選擇柵極，沿著第一浮置柵極的與所述共擦除柵極的相對側進行設置，其中，所述第一選擇柵極與第一字線相連接；以及

第二選擇柵極，沿著第二浮置柵極的與所述共擦除柵極的相對側進行設置，其中，所述第二選擇柵極與第二字線相連接。

8.一種嵌入式閃存單元，包括：

半導體襯底，包括通過第一溝道區域與第一漏極區域間隔開并且通過第二溝道區域與第二漏極區域間隔開的共源極區域；

共源極氧化物層，具有頂面和與所述共源極區域鄰接的底面；

第一浮置柵極，通過第一浮置柵極氧化物層與所述第一溝道區域間隔開，所述第一浮置柵極氧化物層在所述半導體襯底上面位于與所述共源極氧化物層鄰接的第一位置處；

第二浮置柵極，通過第二浮置柵極氧化物層與所述第二溝道區域間隔開，所述第二浮置柵極氧化物層在所述半導體襯底上面位于與所述共源極氧化物層鄰接的第二位置處；以及

共擦除柵極，設置在所述共源極氧化物層上且具有與所述共源極氧化物層的基本平坦的頂面鄰接的基本平坦的底面，

其中，所述共源極氧化物層包括與所述基本平坦的頂面相對的并且與所述共源極區域鄰接的彎曲的底面。

9.根據權利要求8所述的嵌入式閃存單元，其中，所述共源極氧化物層在所述共擦除柵極下方位于大約10nm和大約40nm之間的范圍內的高度處。

10.一種形成存儲單元的方法，包括：

在半導體襯底內形成源極區域和漏極區域；

實施原位蒸汽生成(ISSG)工藝以在所述源極區域上方形成共源極氧化物層；以及

在所述共源極氧化物層上形成柵極結構，其中，所述柵極結構具有的基本平坦的底面與所述共源極氧化物層的基本平坦的頂面鄰接，

所述共源極氧化物層包括與所述頂面相對的彎曲的底面。