[發明專利]一種半導體加工裝置和加工半導體工件的工藝方法

有效

• 申請號: 201410236021.3
• 申請日: 2014-05-30
• 公開（公告）號: CN105225982B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 賈照偉;王堅;王暉
• 申請（專利權）人: 盛美半導體設備(上海)有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張振軍

1.一種半導體加工裝置，包括工藝腔、密封蓋、藥液供給管、晶圓夾盤、洗液進給管和溫度控制系統，其特征在于，所述半導體加工裝置的工藝腔外部安裝有加熱源，所述藥液供給管外包覆有管路加熱裝置，所述晶圓夾盤具有內置加熱器，所述溫度控制系統采集藥液和晶圓表面的溫度數據，所述溫度控制系統單獨控制加熱源、內置加熱器和管路加熱裝置，在濕法蝕刻工藝階段保持該藥液的溫度和晶圓表面的溫度的溫差在1℃范圍內，在干燥階段提升晶圓溫度至80℃以上。

2.根據權利要求1所述的半導體加工裝置，其特征在于，所述密封蓋采用高透熱率材料制成。

3.根據權利要求2所述的半導體加工裝置，其特征在于，所述高透熱率材料的熱量透過率在80％以上。

4.根據權利要求1所述的半導體加工裝置，其特征在于，所述加熱源的個數為一個。

5.根據權利要求4所述的半導體加工裝置，其特征在于，所述加熱源位于所述工藝腔外部的正上方。

6.根據權利要求1所述的半導體加工裝置，其特征在于，所述加熱源的個數為兩個及以上。

7.根據權利要求6所述的半導體加工裝置，其特征在于，所述加熱源在所述工藝腔外部規則排布。

8.一種加工半導體工件的工藝方法，其步驟包括：

提供一工藝腔，所述工藝腔配備有熱能供應裝置和溫度控制系統，所述溫度控制系統測量藥液和晶圓表面的溫度，并通過調控熱能供應裝置來實現對所述藥液和晶圓表面溫度的控制，所述熱能供應裝置包括針對藥液的管路加熱裝置以及針對晶圓的加熱源和內置加熱器；

通入預液預濕潤晶圓；

打開所述溫度控制系統，采集藥液與晶圓表面的溫度數據；

所述溫度控制系統根據采集到的溫度數據分別加熱藥液和晶圓直至達到藥液的活性溫度，并在此溫度下保持恒定；

所述溫度控制系統實時調控藥液和晶圓表面溫度，使二者之間的溫度差始終不超過1℃；

滴入藥液，濕法蝕刻；

蝕刻工藝完成，停止對藥液的供給；

通入后清洗液并清洗晶圓；

增大所述熱能供應裝置對晶圓的加熱強度，提升晶圓表面溫度進行干燥；

完成晶圓的干燥處理。

9.根據權利要求8所述的工藝方法，其特征在于，所述后清洗液為DIW，通過DIW沖洗，所述后清洗液把藥液沖洗干凈。

10.根據權利要求8所述的工藝方法，其特征在于，進一步包括：在干燥階段，加快晶圓轉速，并充入惰性氣體。