[發明專利]金屬非緊密排列球形納米顆粒陣列的制備方法有效
| 申請號： | 201410235880.0 | 申請日： | 2014-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN104003353A | 公開（公告）日： | 2014-08-27 |
| 發明（設計）人： | 李越;張洪華;劉廣強;段國韜;蔡偉平 | 申請（專利權）人： | 中國科學院合肥物質科學研究院 |
| 主分類號： | B82B3/00 | 分類號： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260 | 代理人： | 鄭立明;趙鎮勇 |
| 地址： | 230031 安徽*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 緊密 排列 球形 納米 顆粒 陣列 制備 方法 | ||
1.一種金屬非緊密排列球形納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于，包括步驟：
首先，采用自組織方法在基底上合成聚合物六方排列緊密接觸的單層膠體球晶體陣列；
然后，在附著有所述單層膠體球晶體陣列的基底上，采用物理沉積方法沉積金屬；
沉積金屬后，在馬弗爐中650至800攝氏度加熱0.5至3小時，再升溫至900至1050攝氏度加熱0.2至4小時后，即可在基底獲得金屬非緊密排列球形納米顆粒有序陣列。
2.根據權利要求1所述的金屬非緊密排列球形納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于：
所述的聚合物為聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯；
所述金屬包括以下任一種或多種：金、銀、銅；
沉積金屬后，在馬弗爐中700攝氏度加熱2小時，再升溫至1000攝氏度加熱2小時。
3.根據權利要求1所述的金屬非緊密排列球形納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于，所述物理沉積方法包括磁控濺射沉積、熱蒸發沉積或者電子束蒸發沉積。
4.根據權利要求1、2或3所述的金屬非緊密排列球形納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于，所述單層膠體球晶體陣列中膠體球尺寸為200納米至2000納米。
5.根據權利要求4所述的金屬非緊密排列球形納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于，所述物理沉積方法沉積的金屬厚度為10納米至400納米。
6.根據權利要求4所述的金屬非緊密排列球形納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于，所述的金屬非緊密排列球形納米顆粒陣列中金屬納米顆粒尺寸在40納米到1500納米。
7.根據權利要求4所述的金屬非緊密排列球形納米顆粒陣列的制備方法，其特征在于，所述的金屬非緊密排列球形納米顆粒陣列中陣列周期在200納米至2000納米。
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