[發(fā)明專利]有機(jī)無(wú)機(jī)混合型晶體管在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410235775.7 | 申請(qǐng)日: | 2014-05-30 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104638015A | 公開(kāi)(公告)日: | 2015-05-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐振航;吳幸怡;葉佳俊;辛哲宏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 元太科技工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L29/786 | 分類號(hào): | H01L29/786;H01L29/51;H01L29/06 |
| 代理公司: | 北京中譽(yù)威圣知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;叢芳 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 無(wú)機(jī) 混合 晶體管 | ||
1.一種有機(jī)無(wú)機(jī)混合型晶體管,其特征在于,包含:
可撓性基板;
柵極,其配置在上述可撓性基板上;
有機(jī)柵極介電層,其覆蓋上述柵極以及上述可撓性基板的一部分;
氧化物半導(dǎo)體層,其配置在上述有機(jī)柵極介電層上方,其中在垂直上述可撓性基板的一方向上,該氧化物半導(dǎo)體層與上述柵極重疊;
第一保護(hù)層,其包含無(wú)機(jī)材料,該第一保護(hù)層夾置在上述氧化物半導(dǎo)體層與上述有機(jī)柵極介電層之間,且接觸上述氧化物半導(dǎo)體層及上述有機(jī)柵極介電層;以及
源極及漏極,其分別連接上述氧化物半導(dǎo)體層的不同兩側(cè)。
2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)無(wú)機(jī)混合型晶體管,其特征在于,其中所述第一保護(hù)層為無(wú)機(jī)材料所制成,且包含至少一種材料是選自氧化鋁、氧化硅、氮化硅及上述的組合所組成的群組。
3.如權(quán)利要求2所述的有機(jī)無(wú)機(jī)混合型晶體管,其特征在于,其中所述第一保護(hù)層的厚度為100埃至1000埃。
4.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)無(wú)機(jī)混合型晶體管,其特征在于,其中所述第一保護(hù)層包含溶膠凝膠玻璃材料。
5.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)無(wú)機(jī)混合型晶體管,其特征在于,其中所述第一保護(hù)層與所述氧化物半導(dǎo)體層具有相同的輪廓。
6.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)無(wú)機(jī)混合型晶體管,其特征在于,其中所述第一保護(hù)層完全覆蓋所述有機(jī)柵極介電層。
7.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)無(wú)機(jī)混合型晶體管,其特征在于,還包含第二保護(hù)層,其接觸且位于所述源極、所述漏極以及所述氧化物半導(dǎo)體層上,其中第二保護(hù)層包含無(wú)機(jī)材料。
8.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)無(wú)機(jī)混合型晶體管,其特征在于,還包含有機(jī)保護(hù)層,其覆蓋所述第二保護(hù)層。
9.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)無(wú)機(jī)混合型晶體管,其特征在于,其中所述第二保護(hù)層包含至少一種材料是選自氧化鋁、氧化硅、氮化硅及上述的組合所組成的群組。
10.如權(quán)利要求7所述的有機(jī)無(wú)機(jī)混合型晶體管,其特征在于,其中所述第一保護(hù)層及所述第二保護(hù)層包含氧化鋁,且所述第一保護(hù)層及所述第二保護(hù)層各自的厚度為100埃至1000埃。
11.一種有機(jī)無(wú)機(jī)混合型晶體管,其特征在于,包含:
可撓性基板;
源極及漏極,其配置在上述可撓性基板上;
第一保護(hù)層,其接觸且位于上述源極、上述漏極及上述可撓性基板上,其中該第一保護(hù)層具有第一開(kāi)口及第二開(kāi)口分別露出上述源極的一部分以及上述漏極的一部分;
氧化物半導(dǎo)體層,其配置在上述第一保護(hù)層上,且該氧化物半導(dǎo)體層的不同兩側(cè)分別連接上述源極的上述露出部分和上述漏極的上述露出部分;
柵極,其配置在上述氧化物半導(dǎo)體層上方;以及
有機(jī)柵極介電層,其配置在上述柵極與上述氧化物半導(dǎo)體層之間。
12.如權(quán)利要求11所述的有機(jī)無(wú)機(jī)混合型晶體管,還包含第二保護(hù)層,其位于所述有機(jī)柵極介電層與所述氧化物半導(dǎo)體層之間,且覆蓋所述氧化物半導(dǎo)體層。
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H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
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H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
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