[發明專利]SRAM存儲單元、存儲陣列及存儲器

有效

• 申請號: 201410235553.5
• 申請日: 2014-05-29
• 公開（公告）號: CN105336364B
• 公開（公告）日: 2017-11-21
• 發明（設計）人: 王林
• 申請（專利權）人: 展訊通信（上海）有限公司
• 主分類號: G11C11/419
• 分類號: G11C11/419
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種SRAM存儲單元，其特征在于，包括：

第一PMOS晶體管、第二PMOS晶體管、第一NMOS晶體管、第二NMOS晶體管、第一傳輸晶體管以及第二傳輸晶體管；其中，

所述第一PMOS晶體管的柵極、第一NMOS晶體管的柵極、第二PMOS晶體管的漏極及第二傳輸晶體管的一極連接以形成第一存儲節點，所述第二傳輸晶體管的另一極連接至第一位線；

所述第二PMOS晶體管的柵極、第二NMOS晶體管的柵極、第一PMOS晶體管的漏極及第一傳輸晶體管的一極連接以形成第二存儲節點，所述第一傳輸晶體管的另一極連接至第二位線；

所述第一傳輸晶體管以及第二傳輸晶體管的控制極連接至字線，所述第一PMOS晶體管的源極及第二PMOS晶體管的源極連接至第一電壓，所述第一NMOS晶體管的源極及第二NMOS晶體管的源極連接至第二電壓；

所述SRAM存儲單元還包括：

第一雙柵NMOS晶體管及第二雙柵NMOS晶體管；其中，

所述第一雙柵NMOS晶體管的第一柵極及第二雙柵NMOS晶體管的漏極連接至所述第一存儲節點，所述第一雙柵NMOS晶體管的第二柵極連接至所述第一位線；

所述第二雙柵NMOS晶體管的第一柵極及第一雙柵NMOS晶體管的漏極連接至所述第二存儲節點，所述第二雙柵NMOS晶體管的第二柵極連接至所述第二位線；

所述第一雙柵NMOS晶體管的源極連接至所述第一NMOS晶體管的漏極，所述第二雙柵NMOS晶體管的源極連接至所述第二NMOS晶體管的漏極。

2.如權利要求1所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一傳輸晶體管為第三NMOS晶體管，所述第二傳輸晶體管為第四NMOS晶體管；

所述第三NMOS晶體管連接第二存儲節點的一端為源極，連接第一位線的一端為漏極；所述第四NMOS晶體管連接第一存儲節點的一端為源極，連接第二位線的一端為漏極。

3.如權利要求1所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一傳輸晶體管為第三PMOS晶體管，所述第二傳輸晶體管為第四PMOS晶體管；

所述第三PMOS晶體管連接第二存儲節點的一端為漏極，連接第一位線的一端為源極；所述第四PMOS晶體管連接第一存儲節點的一端為漏極，連接第二位線的一端為源極。

4.如權利要求1所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一PMOS晶體管與第二PMOS晶體管的結構相同，所述第一NMOS晶體管與第二NMOS晶體管的結構相同，所述第一傳輸晶體管與第二傳輸晶體管的結構相同。

5.如權利要求1所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一雙柵NMOS晶體管與第二雙柵NMOS晶體管的結構相同。

6.如權利要求1所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一傳輸晶體管的晶體管尺寸大于所述第一PMOS晶體管，所述第二傳輸晶體管的晶體管尺寸大于所述第二PMOS晶體管。

7.如權利要求1所述的SRAM存儲單元，其特征在于，所述第一位線和第二位線互為互補位線。

8.一種SRAM存儲陣列，其特征在于，包括：

多個如權利要求1至7任一項所述的存儲單元，所述存儲單元按行和列排布；

多條第一位線及第二位線；

多條字線；其中，

位于同一行上的存儲單元共用一條字線，位于同一列上的存儲單元共用一條位線。

9.如權利要求8所述的SRAM存儲陣列，其特征在于，所述字線采用多晶硅實現，所述位線采用鋁實現。

10.一種SRAM存儲器，其特征在于，包括如權利要求8或9所述的存儲陣列。