[發明專利]背照式低串擾圖像傳感器像素結構及制作方法

在審

• 申請號: 201410234484.6
• 申請日: 2014-05-29
• 公開（公告）號: CN103985724A
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 陳多金;陳杰;劉志碧;曠章曲
• 申請（專利權）人: 北京思比科微電子技術股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京凱特來知識產權代理有限公司 11260
• 代理人: 鄭立明;趙鎮勇

1.一種背照式低串擾圖像傳感器像素結構，包括硅基底，所述硅基底中設有多個感光器件，其特征在于，相鄰的感光器件之間及邊部的感光器件的外側分別設有防串擾層。

2.根據權利要求1所述的背照式低串擾圖像傳感器像素結構，其特征在于，所述防串擾層的深度為2um到4um。

3.根據權利要求2所述的背照式低串擾圖像傳感器像素結構，其特征在于，所述防串擾層的位置位于從所述硅基底的正表面至距離所述硅基底的背表面0.05um～0.2um處。

4.根據權利要求3所述的背照式低串擾圖像傳感器像素結構，其特征在于，所述防串擾層的材料的折射率小于硅材料的折射率。

5.根據權利要求4所述的背照式低串擾圖像傳感器像素結構，其特征在于，所述防串擾層的材料為折射率1.45的二氧化硅材料。

6.一種權利要求1至5任一項所述的背照式低串擾圖像傳感器像素結構的制作方法，其特征在于，采用注入工藝在所述像素結構中形成防串擾層，包括步驟：

A.遵循傳統的集成電路制造工藝，采用光刻和刻蝕的方法，形成用于隔離器件的淺槽隔離槽；

B.旋涂光刻膠；

C.曝光并顯影，去除像素陣列區域上面的光刻膠；

D.采用注入工藝，注入氧離子；

E.清洗光刻膠，將所有光刻膠去除；

F.遵循傳統集成電路完成后續工藝。

G.在器件硅背面制造抗反射涂層；

H.在抗反射涂層上面制作平坦層；

I.在平坦層上制作彩色濾光片；

J.在濾光片上面制作微透鏡。

7.根據權利要求6所述的背照式低串擾圖像傳感器像素結構的制作方法，其特征在于，所述步驟A中形成淺槽隔離槽的深度為0.3um-0.5um。

8.根據權利要求7所述的背照式低串擾圖像傳感器像素結構的制作方法，其特征在于，所述步驟D還包括：

對所述淺槽隔離槽進行填充，所述淺槽隔離槽填充后與注入形成的二氧化硅連成防串擾層，填充所述淺槽隔離槽的材料為二氧化硅；

通過光刻和刻蝕工藝形成所需感光器件，并進行逐層的介質淀積和金屬布線；

對所述硅基底的背表面進行減薄，最終厚度為2.0um～5um。