[發(fā)明專利]基于壓控振蕩器的脈沖頻率調(diào)制電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410234234.2
• 申請日: 2014-05-29
• 公開（公告）號: CN105337496B
• 公開（公告）日: 2019-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樊茂
• 申請（專利權(quán)）人: 展訊通信（上海）有限公司
• 主分類號: H02M3/156
• 分類號: H02M3/156
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.基于壓控振蕩器的脈沖頻率調(diào)制電路，其特征在于，包括：

一第一開關(guān)器件組，于一脈沖調(diào)制信號作用下交替導通或關(guān)斷；一設(shè)置有儲能元件的工作電路，在所述第一開關(guān)器件組的作用下于充電模式和放電模式之間切換；

一控制電路，用以根據(jù)一第一參考電壓、一電壓反饋信號、一電流檢測信號和一頻率可變的時鐘信號生成脈沖調(diào)制信號；所述控制電路包括，一誤差放大器，用于對所述第一參考電壓與所述電壓反饋信號進行比較，得到一誤差放大信號；

一時鐘信號產(chǎn)生器，產(chǎn)生所述時鐘信號，并接受所述誤差放大信號的補償調(diào)整所述時鐘信號；所述時鐘信號產(chǎn)生器包括，一環(huán)形振蕩單元，在一電源電壓的作用下產(chǎn)生一設(shè)定頻率的時鐘信號；一調(diào)整單元，連接于所述電源電壓與所述環(huán)形振蕩單元之間，于所述誤差放大信號的作用下調(diào)整電路的工作電流，以調(diào)整所述時鐘信號；

所述環(huán)形振蕩單元包括M級串聯(lián)耦接的邏輯反相單元，每一所述邏輯反相單元包括輸入節(jié)點、輸出節(jié)點，一所述邏輯反相單元的輸出節(jié)點連接下一個所述邏輯反相單元的輸入節(jié)點，第M個邏輯反相單元的輸出節(jié)點反饋至第一個邏輯反相單元的輸入節(jié)點，其中M為大于或等于3的正整數(shù)；

所述控制電路還包括，

一第一比較器，用于對所述誤差放大信號與所述電流檢測信號進行比較，產(chǎn)生一比較信號；

一PWM控制器，依據(jù)所述比較信號和所述時鐘信號產(chǎn)生所述脈沖調(diào)制信號，

一過零檢測電路，所述過零檢測電路的輸出端與所述PWM控制器連接，用于防止電流倒灌。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于壓控振蕩器的脈沖頻率調(diào)制電路，其特征在于，所述環(huán)形振蕩單元包括一緩沖器，所述第M個邏輯反相單元的輸出節(jié)點通過所述緩沖器提供所述時鐘信號。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于壓控振蕩器的脈沖頻率調(diào)制電路，其特征在于，每一所述邏輯反相單元包括一第一電壓端、第二電壓端，所述第一電壓端連接至所述調(diào)整單元，通過所述調(diào)整單元與所述電源電壓連接，所述第二電壓端接地。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于壓控振蕩器的脈沖頻率調(diào)制電路，其特征在于，所述調(diào)整單元采用N溝道MOSFET晶體管，所述N溝道MOSFET晶體管的柵極連接所述誤差放大信號，所述N溝道MOSFET晶體管的漏極連接所述電源電壓，所述N溝道MOSFET晶體管的源極連接所述環(huán)形振蕩單元。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于壓控振蕩器的脈沖頻率調(diào)制電路，其特征在于，所述工作電路包括：

一充電控制支路，連接于一輸入電壓端與一第一交匯結(jié)點之間；

一充放電支路，連接于所述第一交匯結(jié)點與一輸出電壓端之間；

一放電控制支路，連接于所述第一交匯結(jié)點與一接地端之間，所述儲能元件串聯(lián)于所述充放電支路上；

所述工作電路于充電模式時，所述第一開關(guān)器件組控制所述充電控制支路及所述充放電支路導通，并控制所述放電控制支路斷開，使所述輸入電壓端輸入的電流對所述儲能元件充電；

所述工作電路于放電模式時，所述第一開關(guān)器件組控制所述放電控制支路及所述充放電支路導通，并控制所述充電控制支路斷開，使所述儲能元件對所述輸出電壓端放電。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于壓控振蕩器的脈沖頻率調(diào)制電路，其特征在于，所述控制電路還包括，

一反饋網(wǎng)絡(luò)，連接于所述輸出電壓端與所述接地端之間，用以產(chǎn)生所述電壓反饋信號；

一電流檢測電路，可控制的并聯(lián)于所述輸入電壓端與所述第一交匯結(jié)點之間，用以根據(jù)所述脈沖調(diào)制信號產(chǎn)生所述電流檢測信號。