[發明專利]一種脈沖功率開關電路封裝結構有效
| 申請號： | 201410233875.6 | 申請日： | 2014-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN104051442A | 公開（公告）日： | 2014-09-17 |
| 發明（設計）人： | 梁琳;常文光 | 申請（專利權）人： | 華中科技大學 |
| 主分類號： | H01L25/00 | 分類號： | H01L25/00;H01L25/16;H01L23/488;H03K17/56 |
| 代理公司： | 華中科技大學專利中心 42201 | 代理人： | 廖盈春 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 脈沖 功率 開關電路 封裝 結構 | ||
1.一種脈沖功率開關電路封裝結構，其特征在于，包括第一銅箔(1)、半導體脈沖功率開關芯片(2)、電容(3)、第二銅箔(4)、銅柱(5)、磁開關(6)和第三銅箔(7)；
所述電容(3)的一端焊接所述第三銅箔(7)，另一端焊接所述銅柱(5)的一端，所述銅柱(5)與所述電容(3)的中心軸垂直，所述銅柱(5)的另一端穿過所述磁開關(6)的中心焊接至所述第二銅箔(4)的一端，所述第二銅箔(4)與所述電容(3)的中心軸平行，其另一端靠近所述電容(3)的一面焊接所述半導體脈沖功率開關芯片(2)的陽極，所述半導體脈沖功率開關芯片(2)的陰極焊接所述第一銅箔(1)。
2.一種脈沖功率開關電路封裝結構，其特征在于，包括半導體脈沖功率開關芯片(2)、電容(3)、磁開關(6)、第一DBC銅層塊(8)、第二DBC銅層塊(9)和第三DBC銅層塊(11)；
所述第二DBC銅層塊(9)穿過所述磁開關(6)的中心，所述電容(3)的兩端分別焊接在所述第一DBC銅層塊(8)和所述第二DBC銅層塊(9)上，所述半導體脈沖功率開關芯片(2)的陽極焊接在所述第二DBC銅層塊(9)上，其陰極通過銅箔(10)焊接在所述第三DBC銅層塊(11)上，所述磁開關(6)位于所述半導體脈沖功率開關芯片(2)和所述電容(3)之間。
3.如權利要求1或2所述的脈沖功率開關電路封裝結構，其特征在于，所述半導體脈沖功率開關芯片為門極可關斷晶閘管或反向開關晶體管。
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