[發(fā)明專利]終點檢測系統(tǒng)及其運行狀態(tài)監(jiān)測方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201410231985.9 | 申請日: | 2014-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN105206544B | 公開(公告)日: | 2019-03-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳國動 | 申請(專利權(quán))人: | 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 李芙蓉 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 終點 檢測 系統(tǒng) 及其 運行 狀態(tài) 監(jiān)測 方法 | ||
1.一種終點檢測系統(tǒng)運行狀態(tài)監(jiān)測方法,其特征在于,包括如下步驟:
讀取參照樣本中的第一工藝信號曲線,并實時監(jiān)測設置有終點檢測系統(tǒng)的工藝機臺進行工藝時的第二工藝信號曲線;
比對所述第一工藝信號曲線和所述第二工藝信號曲線,判斷所述終點檢測系統(tǒng)運行狀態(tài),包括:
提取所述第一工藝信號曲線的第一信號最大強度值和/或第一背底信號平均值或第一信號振動幅度平均值,提取所述第二工藝信號曲線的第二信號最大強度值和/或第二背底信號平均值或第二信號振動幅度平均值,比較所述第一工藝信號曲線的第一信號最大強度值和/或第一背底信號平均值或第一信號振動幅度平均值和對應的所述第二工藝信號曲線的第二信號最大強度值和/或第二背底信號平均值或第二信號振動幅度平均值,判斷所述終點檢測系統(tǒng)運行狀態(tài);
當所述終點檢測系統(tǒng)運行狀態(tài)正常時,控制所述工藝機臺繼續(xù)進行所述工藝;當所述終點檢測系統(tǒng)運行狀態(tài)異常時,控制所述工藝機臺停止當前所述工藝;
其中:
所述第一信號最大強度值為第一工藝信號曲線中,表征工藝機臺進行工藝啟輝時的信號最大強度值;
所述第二信號最大強度值為第二工藝信號曲線中,表征工藝機臺進行工藝啟輝時的信號最大強度值;
所述第一背底信號平均值為第一工藝信號曲線中,表征工藝機臺進行工藝滅輝時的背底信號平均值;
所述第二背底信號平均值為第二工藝信號曲線中,表征工藝機臺進行工藝滅輝時的背底信號平均值;
所述第一信號振動幅度平均值為第一工藝信號曲線中,表征工藝機臺進行工藝滅輝時的信號振動幅度平均值;
所述第二信號振動幅度平均值為第二工藝信號曲線中,表征工藝機臺進行工藝滅輝時的信號振動幅度平均值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的終點檢測系統(tǒng)運行狀態(tài)監(jiān)測方法,其特征在于,所述比對所述第一工藝信號曲線和所述第二工藝信號曲線,判斷所述終點檢測系統(tǒng)運行狀態(tài),包括如下步驟:
根據(jù)所述第一工藝信號曲線和所述第二工藝信號曲線,分別提取第一信號最大強度值和第二信號最大強度值;
根據(jù):計算所述第一判定參數(shù);
檢測所述第一判定參數(shù)是否小于第一預設值;
當所述第一判定參數(shù)小于所述第一預設值時,控制所述終點檢測系統(tǒng)正常運行;
當所述第一判定參數(shù)大于或等于所述第一預設值時,發(fā)出報警;
其中,所述第一信號最大強度值為所述第一工藝信號曲線中,表征所述工藝機臺進行所述工藝啟輝時的信號最大強度值;
所述第二信號最大強度值為所述第二工藝信號曲線中,表征所述工藝機臺進行所述工藝啟輝時的信號最大強度值;
所述第一預設值的取值范圍為[0.5,1]。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的終點檢測系統(tǒng)運行狀態(tài)監(jiān)測方法,其特征在于,所述比對所述第一工藝信號曲線和所述第二工藝信號曲線,判斷所述終點檢測系統(tǒng)運行狀態(tài),包括如下步驟:
根據(jù)所述第一工藝信號曲線和所述第二工藝信號曲線,分別提取第一背底信號平均值和第二背底信號平均值;
根據(jù):計算所述第二判定參數(shù);
檢測所述第二判定參數(shù)是否小于第二預設值;
當所述第二判定參數(shù)小于所述第二預設值時,控制所述終點檢測系統(tǒng)正常運行;
當所述第二判定參數(shù)大于或等于所述第二預設值時,發(fā)出報警;
其中,所述第一背底信號平均值為所述第一工藝信號曲線中,表征所述工藝機臺進行所述工藝滅輝時的背底信號平均值;
所述第二背底信號平均值為所述第二工藝信號曲線中,表征所述工藝機臺進行所述工藝滅輝時的背底信號平均值;
所述第二預設值的取值范圍為[1,2]。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





