[發(fā)明專利]基于MEMS的傳感器的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410231976.X | 申請(qǐng)日： | 2014-05-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN105174203A | 公開（公告）日： | 2015-12-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 胡永剛;周國(guó)平 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 無錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B81C1/00 | 分類號(hào)： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人： | 李永華 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 mems 傳感器 制作方法 | ||
1.一種基于MEMS的傳感器的制作方法，其特征在于，包括步驟：
提供襯底；
在所述襯底的正面形成淺槽和支撐梁；
在所述襯底的正面形成第一外延層以將所述淺槽封蓋；
在所述第一外延層下形成懸空的網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)；
在所述第一外延層上形成第二外延層；
在所述第二外延層上形成電路層；
在所述襯底的背面對(duì)應(yīng)所述淺槽的位置形成深槽，使所述淺槽和所述深槽連通；
將所述支撐梁除去。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS的傳感器的制作方法，其特征在于，在所述襯底的正面形成淺槽和支撐梁是通過刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS的傳感器的制作方法，其特征在于，所述淺槽深50μm～100μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS的傳感器的制作方法，其特征在于，所述第一外延層厚5μm～10μm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS的傳感器的制作方法，其特征在于，所述第二外延層厚12μm～20μm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS的傳感器的制作方法，其特征在于，在所述第二外延層上形成電路層的工藝包括光刻、注入、擴(kuò)散、腐蝕。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS的傳感器的制作方法，其特征在于，在所述襯底的背面對(duì)應(yīng)所述淺槽的位置形成深槽是通過刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS的傳感器的制作方法，其特征在于，所述深槽深300μm～400μm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS的傳感器的制作方法，其特征在于，將所述支撐梁除去是通過從所述襯底的背面對(duì)所述支撐梁實(shí)施腐蝕工藝實(shí)現(xiàn)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于MEMS的傳感器的制作方法，其特征在于，所述支撐梁的數(shù)目為四條。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于無錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司，未經(jīng)無錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410231976.X/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
