[發(fā)明專利]新型優(yōu)化版氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410231825.4 | 申請(qǐng)日: | 2014-05-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104241762A | 公開(公告)日: | 2014-12-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01P1/22 | 分類號(hào): | H01P1/22 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 215129 江蘇省蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 新型 優(yōu)化 氮化 陶瓷 150 負(fù)載 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉一種氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片,特別涉及一種新型優(yōu)化版氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片。
背景技術(shù)
氮化鋁陶瓷基板負(fù)載片主要用于在通信基站中吸收通信部件中反向輸入的功率,如果不能承受要求的功率,負(fù)載就會(huì)燒壞,可能導(dǎo)致整個(gè)設(shè)備燒壞。目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來(lái)吸收通信部件中反向輸入功率,要求基本的尺寸越來(lái)越小,而需要吸收的功率越來(lái)越大。
目前國(guó)內(nèi)功率能達(dá)到150瓦負(fù)載片一種是選用BeO材料,這種材料是有毒的,在生產(chǎn)過(guò)程中很容易對(duì)環(huán)境造成污染,對(duì)生產(chǎn)人員的身體健康帶來(lái)一定的危害。另一種是使用較大尺寸的氮化鋁基板(基板尺寸為9.55*6.35*1mm),這種大尺寸的氮化鋁基板并不滿足通行基站小型化的要求。目前國(guó)內(nèi)氮化鋁基板在5.7*9.55*1mm的尺寸上只能做出能承受100W功率的負(fù)載片。
目前負(fù)載片都是把焊盤設(shè)計(jì)在負(fù)載片的中央,客戶只能朝一個(gè)方向焊接引線,在通訊系統(tǒng)的設(shè)計(jì)上受到局限性。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種可在5.7*9.55*1mm基板上承載150W功率的負(fù)載片,焊盤要求位于產(chǎn)品的左上角。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
一種新型優(yōu)化版氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片,其包括一5.7*9.55*1mm的氮化鋁基板,所述氮化鋁基板的正面印刷有背導(dǎo)層,所述氮化鋁基板的正面印刷有電阻及導(dǎo)線,所述導(dǎo)線連接所述電阻形成負(fù)載電路,所述負(fù)載電路通過(guò)端接地與所述背導(dǎo)層連接,所述導(dǎo)線連接一焊盤。
優(yōu)選的,負(fù)載電路的焊盤上設(shè)有鍍銀層。
優(yōu)選的,所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜,所述導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。
上述技術(shù)方案具有如下有益效果:該氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片的焊盤改變了傳統(tǒng)的設(shè)計(jì),位于產(chǎn)品的左上角,這樣可以方便客戶根據(jù)不同的設(shè)計(jì)需要,在焊接引線時(shí)可以朝前方或者朝左方,這樣的設(shè)計(jì)為客戶在實(shí)際使用提供了雙重選擇。同時(shí)增加電阻的面積,優(yōu)化電路的設(shè)計(jì),使原來(lái)只能承受100瓦尺寸為5.7*9.55*1mm基板上能承受150瓦的功率,同時(shí)也可使負(fù)載片在特性方面滿足實(shí)際應(yīng)用的要求,使其具有良好的VSWR性能,能夠更好的與設(shè)備進(jìn)行匹配。
上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段,并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施,以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本發(fā)明的具體實(shí)施方式由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。
如圖1所示,該新型優(yōu)化版氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片包括一5.7*9.55*1mm的氮化鋁基板1,氮化鋁基板1的背面印刷有背導(dǎo)層,氮化鋁基板的正面印刷有導(dǎo)線2及電阻3,電阻3通過(guò)導(dǎo)線2連接形成負(fù)載電路,負(fù)載電路的接地端與背導(dǎo)層通過(guò)端接地銀漿連接,這樣即可使負(fù)載電路接地形成回路。電阻3上印刷有玻璃保護(hù)膜4,導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜4的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜5,這樣可對(duì)導(dǎo)線2、電阻3及玻璃保護(hù)膜4形成有效保護(hù)。背導(dǎo)層及導(dǎo)線由導(dǎo)電銀漿印刷而成,所述電阻由電阻漿料印刷而成。負(fù)載電路上設(shè)有與引線焊接的焊盤,焊盤上設(shè)有鍍銀層。
該新型優(yōu)化版氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片的焊盤改變了傳統(tǒng)的設(shè)計(jì),位于產(chǎn)品的左上角,這樣可以方便客戶根據(jù)不同的設(shè)計(jì)需要,在焊接引線時(shí)可以朝前方或者朝左方,這樣的設(shè)計(jì)為客戶在實(shí)際使用提供了雙重選擇。同時(shí)增加電阻的面積,優(yōu)化電路的設(shè)計(jì),使原來(lái)只能承受100瓦尺寸為5.7*9.55*1mm基板上能承受150瓦的功率,同時(shí)也可使負(fù)載片在特性方面滿足實(shí)際應(yīng)用的要求,使其具有良好的VSWR性能,能夠更好的與設(shè)備進(jìn)行匹配。
以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種新型優(yōu)化版氮化鋁陶瓷基板150瓦負(fù)載片進(jìn)行了詳細(xì)介紹,對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員,依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想,在具體實(shí)施方式及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處,綜上所述,本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制,凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司,未經(jīng)蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201410231825.4/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 導(dǎo)電化合物上的大晶粒低電阻率鎢
- 基于六方氮化硼和磁控濺射氮化鋁的氮化鎵生長(zhǎng)方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及制備方法及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 一種氮化鋁復(fù)合緩沖層及氮化鎵基半導(dǎo)體器件
- 連續(xù)氮化處理爐和連續(xù)氮化處理方法
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 一種氮化雙向供氣裝置以及氮化雙向供氣系統(tǒng)
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法
- 鎵解理面III族/氮化物磊晶結(jié)構(gòu)及其主動(dòng)元件與其制作方法





