[發明專利]鍺的干法刻蝕方法

有效

• 申請號: 201410231370.6
• 申請日: 2014-05-29
• 公開（公告）號: CN105304480B
• 公開（公告）日: 2019-11-22
• 發明（設計）人: 邱鵬;王宇翔;顧佳燁;段立帆
• 申請（專利權）人: 上海矽睿科技有限公司
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065
• 代理公司: 31218 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙)
• 代理人: 孫佳胤<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種鍺的干法刻蝕方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供一表面具有鍺層的襯底；

對所述鍺層實施等離子體處理，以形成圖形化的鍺層，所述等離子體的源物質中含有氯氣和三氯化硼，所述等離子體的源物質中還含有氬氣及氮氣，其中，所述氯氣為主刻蝕氣體；

在等離子體處理步驟之后，還包括一后處理步驟：

所述后處理步驟為：

提高等離子體處理的偏置功率，并通入氧氣，以去除等離子體處理步驟中產生的覆蓋物；或者，所述后處理步驟為：增加等離子體處理步驟的時間，以去除等離子體處理步驟中產生的覆蓋物；其中，

所述等離子體處理步驟的偏置射頻功率范圍為20～50瓦；等離子體處理步驟的源射頻功率的范圍為200～1200瓦；等離子體處理步驟的壓力范圍為10～100毫乇，溫度范圍為30～45攝氏度，并且，所述等離子體的源物質的流量范圍為50～100sccm。

2.根據權利要求1所述的鍺的干法刻蝕方法，其特征在于，在所述鍺層表面設置有圖形化的掩膜層，以在后續等離子體處理步驟中形成圖形化的鍺層。