[發(fā)明專利]振蕩電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410230774.3
• 申請日: 2014-05-28
• 公開（公告）號: CN105227179B
• 公開（公告）日: 2018-06-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 符志崗
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
• 主分類號: H03L7/099
• 分類號: H03L7/099;H03L7/085
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種振蕩電路，其特征在于，包括：

選擇單元，適于從參考信號和分頻信號中選擇一個(gè)信號作為輸入信號；

控制電壓產(chǎn)生單元，適于根據(jù)所述輸入信號產(chǎn)生控制電壓，所述控制電壓的電壓值與所述輸入信號的頻率相關(guān)；

基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生單元，適于產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓，所述基準(zhǔn)電壓的電壓值等于所述參考信號作為所述輸入信號時(shí)所述控制電壓的電壓值；

輸出調(diào)整單元，適于根據(jù)所述控制電壓和所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生輸出信號，所述輸出信號的頻率與所述基準(zhǔn)電壓減所述控制電壓獲得的電壓差相關(guān)，在所述電壓差等于零時(shí)，所述輸出信號的頻率保持不變；

分頻單元，適于對所述輸出信號進(jìn)行分頻處理以產(chǎn)生所述分頻信號；

所述控制電壓產(chǎn)生單元包括：

時(shí)鐘信號產(chǎn)生單元，適于根據(jù)所述輸入信號產(chǎn)生互不交疊的第一時(shí)鐘信號和第二時(shí)鐘信號；

偏置電流產(chǎn)生單元，適于根據(jù)所述第一時(shí)鐘信號和所述第二時(shí)鐘信號產(chǎn)生偏置電流，所述偏置電流的電流值與所述輸入信號的頻率呈正相關(guān)性；

電阻，所述電阻的一端適于輸入所述偏置電流以產(chǎn)生所述控制電壓，所述電阻的另一端適于輸入?yún)⒖茧娢弧?/p>

2.如權(quán)利要求1所述的振蕩電路，其特征在于，所述控制電壓的電壓值與所述輸入信號的頻率呈負(fù)相關(guān)性；

在所述電壓差大于零時(shí)，所述輸出信號的頻率減小；

在所述電壓差小于零時(shí)，所述輸出信號的頻率增大。

3.如權(quán)利要求1所述的振蕩電路，其特征在于，所述控制電壓的電壓值與所述輸入信號的頻率呈正相關(guān)性；

在所述電壓差大于零時(shí)，所述輸出信號的頻率增大；

在所述電壓差小于零時(shí)，所述輸出信號的頻率減小。

4.如權(quán)利要求1所述的振蕩電路，其特征在于，所述偏置電流產(chǎn)生單元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、NMOS管、第一運(yùn)算放大器、第一開關(guān)、第二開關(guān)、第三開關(guān)、第一電容以及第二電容；

所述第一PMOS管的柵極連接所述第二PMOS管的柵極和所述第三PMOS管的柵極，所述第一PMOS管的源極連接所述第二PMOS管的源極和所述第三PMOS管的源極并適于輸入電源電壓，所述第一PMOS管的漏極連接所述第一開關(guān)的第一端和所述第二開關(guān)的第一端；

所述第二PMOS管的漏極連接所述NMOS管的漏極；

所述第三PMOS管的漏極連接所述電阻的一端；

所述第一開關(guān)的第二端連接所述第一電容的一端和所述第三開關(guān)的第一端，所述第一開關(guān)的控制端適于輸入所述第一時(shí)鐘信號；

所述第二開關(guān)的第二端適于輸入所述參考電位，所述第二開關(guān)的控制端適于輸入所述第二時(shí)鐘信號；

所述第一電容的另一端輸入所述參考電位；

所述第三開關(guān)的第二端連接所述第一運(yùn)算放大器的第一輸入端和所述第二電容的一端，所述第三開關(guān)的控制端適于輸入所述第二時(shí)鐘信號；

所述第一運(yùn)算放大器的第二輸入端適于輸入第一帶隙電壓，所述第一運(yùn)算放大器的輸出端連接所述第二電容的另一端和所述NMOS管的柵極；

所述NMOS管的源極適于輸入所述參考電位。

5.如權(quán)利要求4所述的振蕩電路，其特征在于，所述偏置電流產(chǎn)生單元還包括適于產(chǎn)生所述第一帶隙電壓的第一帶隙基準(zhǔn)源。

6.如權(quán)利要求5所述的振蕩電路，其特征在于，所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生單元包括：

第一分壓單元，適于對所述第一帶隙電壓進(jìn)行分壓以產(chǎn)生所述基準(zhǔn)電壓。

7.如權(quán)利要求6所述的振蕩電路，其特征在于，所述第一分壓單元為可調(diào)節(jié)阻抗的電阻串。

8.如權(quán)利要求4所述的振蕩電路，其特征在于，所述參考電位為地電位。

9.如權(quán)利要求1或3所述的振蕩電路，其特征在于，所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生單元包括：

第二帶隙基準(zhǔn)源，適于產(chǎn)生第二帶隙電壓；

第二分壓單元，適于對所述第二帶隙電壓進(jìn)行分壓以產(chǎn)生所述基準(zhǔn)電壓。