[發明專利]像素結構、顯示裝置及制造方法

在審

• 申請號: 201410228190.2
• 申請日: 2014-05-27
• 公開（公告）號: CN104007588A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 王姮若;樊浩原;莫再隆
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1343
• 分類號: G02F1/1343;G02F1/1362
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 李迪

1.一種像素結構，所述像素結構中設置有金屬數據線、黑矩陣、第一電極層和第二電極層，所述金屬數據線的正投影完全覆蓋在所述黑矩陣中，所述金屬數據線與所述黑矩陣之間依次設置有第一電極層和第二電極層，所述第一電極層為板狀電極，所述第二電極層為狹縫狀電極，所述第一電極層與所述第二電極層的非重疊區域對應于所述黑矩陣與所述金屬數據線，其特征在于，靠近所述金屬數據線設置的第一電極層中對應于黑矩陣邊緣處的位置設置有空隙。

2.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，靠近所述金屬數據線設置的所述第一電極層中對應于黑矩陣兩個邊緣處的位置各設置有一條空隙。

3.根據權利要求2所述的像素結構，其特征在于，其中所述每條空隙的開口寬度為1.0～2.0um。

4.根據權利要求1所述的像素結構，其特征在于，所述第一電極層為公共電極，第二電極層為像素電極。

5.根據權利要求4所述的像素結構，其特征在于，所述像素電極和所述公共電極非重疊區域寬度為2.0～4.0um。

6.一種顯示裝置，包括陣列基板和彩膜基板及夾設于其間的液晶層，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求1-5任一所述的像素結構，所述金屬數據線、第一電極層和第二電極層依次設置在陣列基板內，所述黑矩陣設置在所述彩膜基板內。

7.一種像素結構的制造方法，包括：形成金屬數據線、黑矩陣、第一電極層和第二電極層的步驟；

其中,所述金屬數據線的正投影完全覆蓋在所述黑矩陣中，所述金屬數據線與黑矩陣之間依次設置有第一電極層和第二電極層，第一電極層為板狀電極，第二電極層為狹縫狀電極，所述第一電極層與所述第二電極層的非重疊區域對應于所述黑矩陣與所述金屬數據線，靠近所述金屬數據線設置的所述第一電極層中對應于黑矩陣邊緣處的位置設置有空隙。

8.根據權利要求7所述的像素結構的制造方法，其特征在于，靠近所述金屬數據線設置的所述第一電極層中對應于黑矩陣兩個邊緣處的位置各設置有一條空隙。

9.根據權利要求8所述的像素結構的制造方法，其特征在于，其中所述每條空隙的開口寬度為1.0～2.0um。

10.根據權利要求7所述的像素結構的制造方法，其特征在于，所述第一電極層為公共電極，第二電極層為像素電極，所述像素電極和所述公共電極非重疊區域寬度為2.0～4.0um。