[發明專利]一種去除燒結碳化硅反射鏡的鋁摻雜硅改性膜的方法

無效

• 申請號: 201410228167.3
• 申請日: 2014-05-28
• 公開（公告）號: CN104014505A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發明（設計）人: 王彤彤;高勁松;王笑夷;劉震;劉海;李玉東
• 申請（專利權）人: 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所
• 主分類號: B08B3/08
• 分類號: B08B3/08;B08B3/02
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所 22210
• 代理人: 陶尊新

1.一種去除燒結碳化硅反射鏡的鋁摻雜硅改性膜的方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

步驟一：將質量百分比濃度為68％的硝酸與水按照體積比1：5配置硝酸溶液，并用配好的硝酸溶液清潔鍍有鋁摻雜硅改性膜的燒結碳化硅鏡胚10～30分鐘；

步驟二：用清水清洗鍍有鋁摻雜硅改性膜的燒結碳化硅鏡胚5～20分鐘；

步驟三：將質量百分比濃度為40％的氫氟酸和水按照體積比10：1配制成溶液，并用配好的氫氟酸溶液清潔鍍有鋁摻雜硅改性膜的燒結碳化硅鏡胚10～30分鐘；

步驟四：用清水清洗鍍有鋁摻雜硅改性膜的燒結碳化硅鏡胚5～20分鐘；

步驟五：將質量百分比濃度為40％的氫氟酸和水按照體積比2：1配制成溶液；

步驟六：使用脫脂棉蘸取步驟五中配制好的氫氟酸溶液均勻涂于燒結碳化硅鏡胚表面，對鋁摻雜硅改性膜進行腐蝕溶解；

步驟七：待鋁摻雜硅改性膜完全溶解后，使用脫脂棉蘸取碳酸鈣粉末擦拭燒結碳化硅鏡胚表面以去除殘余液體，然后用清水沖洗燒結碳化硅鏡胚表面直至清潔；

步驟八：若燒結碳化硅鏡胚上的鋁摻雜硅改性膜仍有殘余，則重復第五步至第七步的過程，若碳化硅基底上的硅厚膜已徹底清除，則繼續進行步驟九；

步驟九：用脫脂棉蘸取氧化鈰粉末擦拭燒結碳化硅鏡胚表面5～10分鐘，然后用清水沖洗燒結碳化硅鏡胚表面直至清潔；

步驟十：使用質量百分比濃度為99.7％的酒精超聲清洗燒結碳化硅鏡胚10～20分鐘，并自然風干，即可完全去除燒結碳化硅鏡胚上的鋁摻雜硅改性膜。

2.如權利要求1所述的一種去除燒結碳化硅反射鏡的鋁摻雜硅改性膜的方法，其特征在于，步驟七所述的碳酸鈣粉末是純度大于99.5％的高純碳酸鈣粉末。

3.如權利要求1所述的一種去除燒結碳化硅反射鏡的鋁摻雜硅改性膜的方法，其特征在于，步驟九所述氧化鈰粉末是純度大于等于99.99％的氧化鈰粉末，其細度為中心粒徑1.5-1.8μm，最大粒徑不超過11μm。

4.如權利要求1所述的一種去除燒結碳化硅反射鏡的鋁摻雜硅改性膜的方法，其特征在于，步驟十所述酒精的質量百分比濃度大于等于99.7％。