[發(fā)明專利]用于LED照明的線電壓補(bǔ)償電路及LED照明電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410227977.7
• 申請(qǐng)日: 2014-05-27
• 公開（公告）號(hào): CN105228287B
• 公開（公告）日: 2018-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱樟明;鄧俊海;過偉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山啟達(dá)微電子有限公司;西安電子科技大學(xué)昆山創(chuàng)新研究院
• 主分類號(hào): H05B37/02
• 分類號(hào): H05B37/02
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11243
• 代理人: 許靜,黃燦

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種用于LED照明的線電壓補(bǔ)償電路及LED照明電路。

背景技術(shù)

圖1為傳統(tǒng)LED峰值電流采樣電路，包括比較器Comp、邏輯控制電路、功率管M_POWER、電流采樣電阻R_CS。另外還有發(fā)光二極管LED、穩(wěn)壓電容C、儲(chǔ)能電感L和續(xù)流二極管DSUC構(gòu)成負(fù)載電路。

當(dāng)功率管M_POWER導(dǎo)通時(shí)，線電壓VIN通過LED、電感L、M_POWER和電阻R_CS組成的通路對(duì)電感L充電。隨著儲(chǔ)能電感L中的電流的增加，電流采樣電阻的端電壓VCS同樣增大。若采樣電壓VCS超過參考電壓V_REF，比較器Comp輸出發(fā)生翻轉(zhuǎn)，在邏輯控制電路的作用下使功率管關(guān)斷。儲(chǔ)能電感電動(dòng)勢(shì)極性發(fā)生改變，續(xù)流二極管DSUC導(dǎo)通，儲(chǔ)能電感開始放電，LED上的電流也逐漸減小，這個(gè)過程會(huì)持續(xù)到功率管下一次導(dǎo)通。

根據(jù)上述過程，電感L峰值電流由比較器正輸入端的參考電壓V_REF決定，該峰值電流的表達(dá)式為：

由于線電壓VIN存在波動(dòng)，電感峰值電流的實(shí)際值會(huì)遠(yuǎn)偏離理想表達(dá)式。實(shí)際中得到的峰值電流表達(dá)式如下：

從上式可以看出，線電壓的波動(dòng)會(huì)使電感峰值電流偏離理想值，而線電壓的波動(dòng)是不可避免的，因此需要減小線電壓波動(dòng)對(duì)電感峰值電流的影響。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種用于LED照明的線電壓補(bǔ)償電路及LED照明電路，其目的是為了減小線電壓波動(dòng)對(duì)電感峰值電流的影響。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種用于LED照明的線電壓補(bǔ)償電路，連接LED照明電路，包括：

線電壓(VIN)；

與所述線電壓(VIN)相連接的電流負(fù)反饋電路；

與所述電流負(fù)反饋電路相連接的峰值電流采樣電路；其中，

所述線電壓(VIN)輸出電流給所述電流負(fù)反饋電路；

所述電流負(fù)反饋電路將電流輸出給所述峰值電流采樣電路；

所述峰值電流采樣電路用于使流過電感的峰值電流恒定，并將電流輸出給所述LED照明電路。

其中，所述電流負(fù)反饋電路包括：

第一限流電阻(R₀₁)、第二限流電阻(R₀₂)、第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)、第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)、第五MOS管(M5)、第六MOS管(M6)、第七M(jìn)OS管(M7)、第八MOS管(M8)；其中，

所述第一限流電阻(R₀₁)的一端連接線電壓分壓電壓(LN)，另一端連接所述第一MOS管(M1)的漏極；

所述第一MOS管(M1)的柵極與漏極短接，源極接地；

所述第二限流電阻(R₀₂)的一端連接鉗制電壓(VCC)，另一端連接所述第二MOS管(M2)的漏極；

所述第二MOS管(M2)的柵極連接所述第一MOS管(M1)的柵極，源極接地；

所述第三MOS管(M3)的柵極連接所述第一MOS管(M1)的柵極，漏極連接所述第五MOS管(M5)的漏極，源極接地；

所述第四MOS管(M4)的柵極連接所述第二MOS管(M2)的漏極，漏極連接所述第六MOS管(M6)的漏極，源極接地；

所述第五MOS管(M5)的柵極與漏極短接，并連接所述第三MOS管(M3)的漏極，源極連接低壓供電電壓(VC1)；

所述第六MOS管(M6)的柵極連接所述第五MOS管(M5)的柵極，漏極連接所述第四MOS管(M4)的漏極，源極連接低壓供電電壓(VC1)；

所述第七M(jìn)OS管(M7)的柵極連接所述第四MOS管(M4)的漏極，漏極連接所述第八MOS管(M8)的漏極，源極連接所述第二MOS管(M2)的漏極；

所述第八MOS管(M8)的柵極與漏極短接，并連接到第七M(jìn)OS管(M7)的漏極，源極連接低壓供電電壓(VC1)。

其中，所述峰值電流采樣電路包括：

第九MOS管(M9)、線電阻(R_LINE)、電流采樣電阻(R_CS)、比較器(Comp)、邏輯控制電路(21)、功率管(M_POWER)；其中，