[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201410226036.1
• 申請日: 2014-05-26
• 公開（公告）號: CN104183562B
• 公開（公告）日: 2018-07-24
• 發明（設計）人: 石井泰之;茶木原啟
• 申請（專利權）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/522;H01L23/528;H01L25/16
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

第一電極，由在所述半導體襯底之上形成的第一導電膜形成；

第一虛設電極，與所述第一電極遠離地在所述半導體襯底之上形成，并且由第二導電膜形成，所述第二導電膜在與所述第一導電膜相同的層；

第二電極，由第三導電膜形成，所述第三導電膜在所述第一電極和所述第一虛設電極之間、在所述第一電極的周緣側表面處以及在所述第一虛設電極的周緣側表面處形成；

第一電容性絕緣膜，由形成在所述第一電極和所述第二電極之間的第一絕緣膜形成；

層間絕緣膜，以使得覆蓋所述第一電極、所述第二電極和所述第一電容性絕緣膜這樣的方式形成；

第一耦合孔，穿透所述層間絕緣膜并到達所述第一電極；

第二耦合孔，穿透所述層間絕緣膜并到達所述第二電極的在與所述第一電極側相對的所述第一虛設電極的側表面處形成的第一部分；

第一耦合電極，由嵌入在所述第一耦合孔中的第四導電膜形成并且與所述第一電極電耦合；以及

第二耦合電極，由嵌入在所述第二耦合孔中的第五導電膜形成并且與所述第二電極的所述第一部分電耦合，

其中所述第一電極、所述第二電極和所述第一電容性絕緣膜形成第一電容性元件。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第一電極包括多個第一線部分，在平面圖中，所述多個第一線部分分別在第一方向上延伸并且在與所述第一方向交叉的第二方向上排列，以及

其中所述第一虛設電極在所述第二方向上延伸并且布置在所述第一方向上的所述第一線部分的一側上。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中所述第一電極包括第二線部分，所述第二線部分在所述第二方向上延伸并且耦合到所述第一線部分的與所述一側相對的相應端部，

其中所述第一耦合孔穿透所述層間絕緣膜并且到達所述第二線部分，以及

其中所述第一耦合電極與所述第二線部分電耦合。

4.根據權利要求2所述的半導體器件，

其中所述第二電極在彼此相鄰的所述第一線部分之間形成，

其中所述第一耦合孔穿透所述層間絕緣膜并且到達所述第一線部分，以及

其中所述第一耦合電極與所述第一線部分電耦合，

所述器件包括：

第三耦合孔，穿透所述層間絕緣膜并到達布置在彼此相鄰的所述第一線部分之間的所述第二電極的第二部分，以及

第三耦合電極，由嵌入在所述第三耦合孔中的第六導電膜形成并且與所述第二電極的所述第二部分電耦合。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第二電極由所述第三導電膜形成，所述第三導電膜在所述第一電極與所述第一虛設電極之間、在所述第一電極的周緣側表面處、在所述第一虛設電極的周緣側表面處以及在所述第一電極的局部區域中形成，并且

其中所述第一耦合孔穿透所述層間絕緣膜并到達所述第一電極的頂表面的其中未形成所述第二電極的區域。

6.根據權利要求3所述的半導體器件，包括在所述第一線部分的頂表面處形成的帽絕緣膜。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，

其中所述第一電極由所述第一導電膜和在所述第一導電膜的表面處形成的第一金屬硅化物膜形成，

其中所述第二電極由所述第三導電膜和在所述第三導電膜的表面處形成的第二金屬硅化物膜形成，

其中所述第一耦合電極與所述第一金屬硅化物膜接觸，以及

其中所述第二耦合電極與所述第二金屬硅化物膜接觸。