[發明專利]溫度校準方法及系統有效
| 申請號: | 201410225411.0 | 申請日: | 2014-05-26 |
| 公開(公告)號: | CN105136304B | 公開(公告)日: | 2019-03-05 |
| 發明(設計)人: | 趙海洋 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | G01J5/00 | 分類號: | G01J5/00 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 李芙蓉 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 溫度 校準 方法 系統 | ||
本發明提供一種溫度校準方法及系統。其中方法包括以下步驟:建立真實溫度和被校準溫度的預設對應關系數集,并計算各溫度偏移量,溫度偏移量為相對應的真實溫度與被校準溫度的差值;讀取溫控器的預設溫度;根據預設對應關系數集計算預設溫度對應的實際溫度偏移量;溫控器根據實際溫度偏移量和預設溫度控制機臺加熱。其可保證工藝溫度的準確,實現多個不同預設溫度的溫度校準,在溫度校準過程中,通過計算真實溫度和被校準溫度的差值,得到實際溫度偏移量的方式進行,可實現實時溫度校準,在工藝加工過程中,實際溫度偏移量保持不變,減少了通訊量。
技術領域
本發明涉及半導體工藝加工技術領域,特別是涉及一種溫度校準方法及系統。
背景技術
CVD(Chemical Vapor Deposition,化學氣相淀積)方法是一種利用不同氣體在高溫下的相互反應來制備外延薄膜層的方法。對于CVD設備來說反應溫度都比較高,一般反應溫度都在1000℃以上,因此CVD設備中采用感應加熱比較多,在感應加熱中,一般采用紅外測溫儀進行溫度測溫。
傳統的溫度校準方法需通過特殊的軟件修改紅外測溫儀的發射率進行溫度校準,由于紅外測溫儀的發射率只能設定一個值,因此只能對一個溫度點進行溫度校準。
發明內容
針對傳統技術只能對一個溫度點進行溫度校準的問題,本發明提供了一種可以對多個不同預設溫度進行溫度校準的溫度校準方法及系統。
為達到技術目的,本發明提供一種溫度校準方法,包括以下步驟:
溫控器控制機臺加熱;
讀取機臺的溫度,記作機臺的真實溫度;
讀取溫控器的輸出溫度,記作機臺的被校準溫度;
所述真實溫度至少為一個,所述被校準溫度至少為一個;
將所述真實溫度和所述被校準溫度一一對應記錄下來,建立所述真實溫度和所述被校準溫度的預設對應關系數集,并計算各溫度偏移量,所述溫度偏移量為相對應的所述真實溫度與所述被校準溫度的差值;
讀取溫控器的預設溫度;
根據所述預設對應關系數集計算所述預設溫度對應的實際溫度偏移量;
所述溫控器根據所述實際溫度偏移量和所述預設溫度控制機臺加熱。
作為一種可實施方式,所述根據所述預設對應關系數集計算所述預設溫度對應的實際溫度偏移量,包括如下步驟:
若所述預設溫度為所述預設對應關系數集中的被記錄的一個所述被校準溫度,所述預設溫度對應的實際溫度偏移量為所述真實溫度與所述被校準溫度的差值。
作為一種可實施方式,所述根據所述預設對應關系數集計算所述預設溫度對應的實際溫度偏移量,包括如下步驟:
若所述預設溫度不是所述預設對應關系數集中的被記錄的所述被校準溫度,則從預設對應關系數集中讀取與所述預設溫度鄰近的兩個所述被校準溫度,比所述預設溫度大的所述被校準溫度記作第一被校準溫度,相應的所述真實溫度記作第一真實溫度,比所述預設溫度小的所述被校準溫度記作第二被校準溫度,相應的所述真實溫度記作第二真實溫度;
根據公式計算所述預設溫度對應的所述實際溫度偏移量,所述公式為:
(預設溫度+實際溫度偏移量-第二真實溫度)/(第一真實溫度-第二真實溫度)=(預設溫度-第二被校準溫度)/(第一被校準溫度-第二被校準溫度)。
作為一種可實施方式,所述溫控器根據所述實際溫度偏移量和所述預設溫度控制所述機臺加熱,包括如下步驟:
所述溫控器根據所述預設溫度與所述實際溫度偏移量的和控制所述機臺加熱。
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