[發明專利]多級引線框架

有效

• 申請號: 201410225355.0
• 申請日: 2014-05-26
• 公開（公告）號: CN104319269B
• 公開（公告）日: 2018-07-31
• 發明（設計）人: L·H·M@E·李;Y·C·豪
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種用于形成集成電路的多級引線框架的方法，所述方法包括：

從第一側蝕刻導電片以形成第一薄區域；

從所述第一側蝕刻所述導電片以形成第二薄區域，所述第一薄區域比所述第二薄區域更薄；以及

從相對的第二側蝕刻所述導電片，其中從相對的第二側蝕刻所述導電片在多個鍵合焊盤中產生多條引線。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括在從第一側蝕刻導電片以形成第一薄區域之前，掩蔽除了意在用于所述第一薄區域的面積之外的所述第一側。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括在從相對的第二側蝕刻所述導電片之前，掩蔽與所述第一薄區域相對的一部分第二側。

4.根據權利要求1所述的方法，其中從所述第一側蝕刻所述導電片來形成所述第二薄區域，以在所述第一側上產生所述多個鍵合焊盤。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述多條引線中的每條引線具有線寬并且與相鄰引線至少隔開引線間隙距離。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述多個鍵合焊盤中的每個焊盤具有焊盤寬度并且與相鄰鍵合焊盤隔開鍵合焊盤間隙距離。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述鍵合焊盤間隙距離小于所述引線間隙距離的兩倍。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述鍵合焊盤間隙距離近似等于所述引線間隙距離。

9.根據權利要求1所述的方法，其中從一側蝕刻導電片從而形成較薄區域還在所述多級引線框架內形成管芯腔。

10.一種用于形成集成電路的多級引線框架的方法，所述方法包括：

從第一側蝕刻導電片以形成第一薄區域；

從所述第一側蝕刻所述導電片以形成第二薄區域，所述第一薄區域比所述第二薄區域更薄，所述第二薄區域的面積形成多個鍵合焊盤；以及

從相對的第二側并且在所述第一薄區域的面積內蝕刻所述導電片以形成多條引線，所述多條引線中的每條引線在所述多個鍵合焊盤的兩個相鄰鍵合焊盤之間，并且其中所述引線在所述第一薄區域內。

11.根據權利要求10所述的方法，其進一步包括在從第一側蝕刻導電片以形成第一薄區域之前，掩蔽除了意在用于所述第一薄區域的面積之外的所述第一側。

12.根據權利要求10所述的方法，其中所述多條引線中的每條引線具有線寬并且與相鄰引線至少隔開引線間隙距離。

13.根據權利要求10所述的方法，其中所述多個鍵合焊盤中的每個鍵合焊盤具有焊盤寬度并且與相鄰的鍵合焊盤隔開鍵合焊盤間隙距離。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述鍵合焊盤間隙距離小于所述引線間隙距離的兩倍。

15.根據權利要求13所述的方法，其中所述鍵合焊盤間隙距離近似等于所述引線間隙距離。