[發(fā)明專利]靶材、源、EUV光刻設(shè)備和使用該設(shè)備的器件制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410225307.1
• 申請日: 2009-03-20
• 公開（公告）號: CN104093259B
• 公開（公告）日: 2017-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: V·M·克里夫特遜;V·Y·班尼恩;A·J·布里克;V·V·伊萬諾夫;K·N·克什烈夫;J·H·J·莫爾斯;S·丘里洛夫;D·格盧什科夫
• 申請（專利權(quán)）人: ASML荷蘭有限公司
• 主分類號: H05G2/00
• 分類號: H05G2/00
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司11021
• 代理人: 張啟程

本申請是ASML荷蘭有限公司于2009年3月20日遞交的、申請?zhí)枮?00980109474.7、發(fā)明名稱為“靶材、源、EUV光刻設(shè)備和使用該設(shè)備的器件制造方法”的中國專利申請的分案申請。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2008年3月21日申請的美國臨時申請61/064720的權(quán)益，且在此處通過引用將其全部內(nèi)容并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及靶材、源以及包括釓或鋱的EUV光刻設(shè)備，以及使用該設(shè)備的器件制造方法。

背景技術(shù)

光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上(通常應(yīng)用到所述襯底的目標(biāo)部分上)的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。典型地，經(jīng)由成像將所述圖案轉(zhuǎn)移到在所述襯底上設(shè)置的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常，單個襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括：所謂步進(jìn)機(jī)，在所述步進(jìn)機(jī)中，通過將整個圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個目標(biāo)部分；以及所謂掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向(“掃描”方向)掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步掃描所述襯底來輻射每一個目標(biāo)部分。還可以通過將所述圖案壓印到所述襯底上，而將所述圖案從所述圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到所述襯底上。

具體地，已知光刻設(shè)備利用在13.5nm范圍內(nèi)或甚至在6.8nm范圍內(nèi)的輻射。對于后者，釓(Gd)靶或包括釓復(fù)合物的靶是已知的。例如，美國專利申請公開出版物No.2006/0133574Al描述了具有被構(gòu)想用以產(chǎn)生6.8nm的束的Gd靶的光刻設(shè)備，其中6.8nm的輻射通過使用激光產(chǎn)生等離子體(LPP)來產(chǎn)生。為了使EUV光發(fā)射區(qū)域的激光吸收區(qū)域更緊密或使得它們交疊，已知的Gd靶被配置成具有釓或其復(fù)合物(例如氧化釓)的晶體密度的0.5％-80％的范圍內(nèi)的密度。

發(fā)明內(nèi)容

由于Gd的熔化溫度高(其大約是1313℃)，所以技術(shù)上要求已知的光刻設(shè)備產(chǎn)生釓的液滴，以產(chǎn)生激光產(chǎn)生等離子體。另外，密度減小的Gd靶不適合與不同的EUV輻射產(chǎn)生裝置或輻射發(fā)生器一起使用。

本發(fā)明的一個方面是提供一種靶材，所述靶材將被用在被構(gòu)造且被布置以在光刻設(shè)備中使用的源中，其相對于輻射產(chǎn)生裝置或輻射發(fā)生器來說可能是通用的。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種靶材，用于被構(gòu)造且被布置以產(chǎn)生具有在極紫外范圍中的波長的輻射束的源中。所述靶材包括基于Gd的合成物，所述基于Gd的合成物被配置以改變Gd的熔化溫度。

靶材可以包括多個預(yù)先制造的固體滴(solid?droplet)。為了形成這些液滴，基于Gd的合成物可以內(nèi)嵌在結(jié)合料中，用于形成固體滴。Gd合成物可以包括Gd共晶合金的膠體復(fù)合物。

所述合成物可以被配置以降低Gd的熔化溫度。可替代地，所述合成物可以被配置成升高Gd的熔化溫度。被配置成增加Gd的熔化溫度的這樣的合成物可以包括具有非金屬(例如B,P,Se,As,S,Te,Sb,N,O,C或Si)的Gd合金。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種用于光刻設(shè)備的輻射源，所述輻射源包括如上述靶材。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括參考前述進(jìn)行描述的源。輻射束可以通過使用激光產(chǎn)生等離子體(LPP)源或放電產(chǎn)生等離子體(DPP)源來產(chǎn)生。

光刻設(shè)備還可以包括：照射系統(tǒng)，所述照射系統(tǒng)被配置以調(diào)節(jié)所述輻射束；支撐件，所述支撐件被配置以支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠在所述輻射束的橫截面中將圖案賦予輻射束，以形成圖案化的輻射束；襯底臺，所述襯底臺被構(gòu)造以保持襯底；和投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)被配置以將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種器件制造方法，所述方法包括：將圖案化的輻射束投影到襯底上。所述輻射通過使用靶材來產(chǎn)生，所述靶材包括被配置成改變Gd的熔化溫度的基于Gd的合成物。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種器件制造方法，所述方法包括：將圖案化的輻射束投影到襯底上。所述輻射通過使用包括被配置成多個預(yù)先制造的固體滴的Gd的靶材來產(chǎn)生。所述多個預(yù)先制造的固體滴可以包括被構(gòu)造成改變Gd的熔化溫度的Gd合成物。