[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201410225111.2
• 申請日: 2014-05-26
• 公開（公告）號: CN104576710B
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發明（設計）人: 上馬場龍;田口健介
• 申請（專利權）人: 三菱電機株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 何立波,張天舒

1.一種半導體裝置，其具備末端區域(21)，該末端區域(21)以俯視觀察時包圍元件區域(20)的方式設置并具有直線部(22、23)和角部(24)，

該半導體裝置的特征在于，

在所述末端區域(21)中，具有：

耐壓保持區域(7)，其為從第1導電型襯底(1)的表面(9)在預先設定的深度方向上形成的第2導電型的低濃度的雜質區域；

第1絕緣膜(10)，其在所述襯底(1)上，以至少覆蓋所述耐壓保持區域(7)的方式形成；

第1場板(11)，其形成在所述第1絕緣膜(10)上；

第2絕緣膜(12)，其以覆蓋所述第1場板(11)整體及所述第1絕緣膜(10)的整個上表面的方式形成；以及

第2場板(13)，其形成在所述第2絕緣膜(12)上，

所述第1絕緣膜(10)包含在俯視觀察時包圍所述元件區域(20)的單一而連續的膜，該單一而連續的膜的膜厚度在所述角部(24)中比在所述直線部(22、23)中厚。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述角部(24)中，所述半導體裝置還具有所述襯底(1)的表面形成為凹形狀的凹部區域(15)，

所述第1絕緣膜(10)的表面在所述角部(24)和所述直線部(22、23)中共面。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

所述凹部區域(15)通過LOCOS法形成。

4.根據權利要求2或3所述的半導體裝置，其特征在于，

所述凹部區域(15)形成為與非凹部區域的邊界面相對于所述襯底的表面(9)具有小于或等于90度的傾斜的錐形狀。