[發明專利]一種垂直結構的高壓LED芯片的制備方法在審
| 申請號： | 201410224864.1 | 申請日： | 2014-05-27 |
| 公開（公告）號： | CN105280757A | 公開（公告）日： | 2016-01-27 |
| 發明（設計）人： | 朱浩;劉國旭;鄒靈威;曲曉東 | 申請（專利權）人： | 易美芯光（北京）科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 南昌新天下專利商標代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 100176 北京市大興區亦莊經濟*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 垂直 結構 高壓 led 芯片 制備 方法 | ||
1.一種垂直結構的高壓LED芯片的制備方法，包括；
在生長襯底上依次生長緩沖層、N型GaN層、多量子阱層、P型GaN層，形成外延層；
在P型GaN層上蒸鍍反射金屬層、金屬阻擋層和邦定金屬層；
將所述蒸鍍有反射金屬層的外延層邦定在高阻硅基板上，去除生長襯底和緩沖層，暴露出N型GaN層；
其特征在于，刻蝕GaN層至暴露高阻硅基板形成溝槽以產生多個分立的管芯；
刻蝕所述每個分立管芯上暴露的GaN層的部分區域至暴露出金屬阻擋層，形成P電極焊盤區，在未被刻蝕的GaN層上形成N電極焊盤區；
在相鄰管芯的P電極焊盤區和N電極焊盤區之間沉積一層絕緣層，其中所述絕緣層覆蓋了N電極焊盤區和P電極焊盤區的側壁并延伸至高阻硅基板；
在所述P電極焊盤區蒸鍍P電極金屬形成P電極，在N電極焊盤區蒸鍍N電極金屬形成N電極；
在相鄰管芯的N電極和P電極之間沉積一層連接層，所述連接層連接相鄰管芯的N電極和P電極，形成高壓芯片。
2.根據權利要求1所述的一種垂直結構的高壓LED芯片的制備方法，其特征在于所述刻蝕是采用ICP或RIE干法刻蝕。
3.根據權利要求1所述的一種垂直結構的高壓LED芯片的制備方法，其特征在于所述溝槽的深度為2.5um-7um。
4.根據權利要求1所述的一種垂直結構的高壓LED芯片的制備方法，其特征在于所述生長襯底為下列中的一種：藍寶石、硅、碳化硅。
5.根據權利要求1所述的一種垂直結構的高壓LED芯片的制備方法，其特征在于所述絕緣層的材料為下列中的一種或多種：SiO2、SiN、Al2O3。
6.根據權利要求1所述的一種垂直結構的高壓LED芯片的制備方法，其特征在于所述連接層的材料為下列中的一種或多種：銦錫氧化物(ITO)、氧化鋅(ZnO)、石墨烯、金屬。
7.根據權利要求1所述的一種垂直結構的高壓LED芯片的制備方法，其特征在于所述連接層的厚度為3000?~50000?。
8.根據權利要求1所述的一種垂直結構的高壓LED芯片的制備方法，其特征在于所述P電極金屬和N電極金屬的材料分別為下列中的一種：Al/Pt/Au、Ag/Pt/Au、Ni/Ag/Pt/Au、TiW/Pt/Au、Ti/Ag/Pt/Au、Ni/Al/Pt/Au、Al/Ti/Au、Ti/Al/Pt/Au。
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