[發(fā)明專利]掩膜版及其制備方法和圖形化方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410224727.8
• 申請(qǐng)日: 2014-05-26
• 公開（公告）號(hào): CN103969941A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 申溯;周云;劉艷花;浦東林;陳林森
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州大學(xué)
• 主分類號(hào): G03F1/26
• 分類號(hào): G03F1/26
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：

掩膜襯底；

形成于所述掩膜襯底上的若干納米凸起，所述若干納米凸起之間具有間距；

覆蓋于所述若干納米凸起表面的遮擋層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜襯底為硬質(zhì)材料或柔性材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述硬質(zhì)材料為白冕玻璃、硼硅玻璃、或石英玻璃。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的掩膜版，其特征在于，所述柔性材料為聚酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、或聚碳酸酯。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述納米凸起為納米圓柱、納米方柱、納米錐、納米半球、納米橢球、納米梯臺(tái)中的一種或兩種以上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述若干納米凸起之間的間距的范圍為50nm～300nm，若干納米凸起中任一納米凸起的高度范圍為80nm～500nm，基底口徑范圍為50nm～300nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的掩膜版，其特征在于，所述若干納米凸起在所述掩膜襯底上的占空比大于60％。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述遮擋層為鉻、鋁、或鎢。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述遮擋層的厚度范圍為10nm～50nm。

10.一種制備權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的掩膜版的方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

S1.提供掩膜襯底，對(duì)其進(jìn)行清洗并吹干；

S2.在掩膜襯底上制備若干納米凸起；

S3.在若干納米凸起的部分表面上沉積遮擋層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述S2具體包括：

S21.在掩膜襯底上涂覆光致抗蝕劑；

S22.在涂覆的光致抗蝕劑上通過紫外干涉光刻法在光致抗蝕劑上形成若干納米凸起。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述S2具體包括：

S21.在掩膜襯底上涂覆光致抗蝕劑；

S22.在涂覆的光致抗蝕劑上通過自組裝方法形成若干納米粒子，以形成的若干納米粒子為掩膜，通入反應(yīng)氣體，對(duì)掩膜襯底進(jìn)行刻蝕，形成若干納米凸起。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述S2具體包括：

S21.在掩膜襯底上涂覆透明材料，利用模具對(duì)透明材料進(jìn)行納米壓印；

S22.對(duì)壓印后的透明材料進(jìn)行紫外輻照、固化和脫模，獲得與模具壓印面結(jié)構(gòu)相反的若干納米凸起。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于，所述S3中，沉積遮擋層的方法包括：熱蒸發(fā)法、電子束蒸發(fā)法、磁控濺射法、或原子層沉積發(fā)。

15.一種根據(jù)權(quán)利要求1～9任一項(xiàng)所述的掩膜版的圖形化方法，其特征在于，所述圖形化方法包括如下步驟：

S1.在掩膜版上涂覆一層光致刻蝕劑層；

S2.利用紫外激光直寫方法在掩膜版的光致抗蝕劑層上形成所需要的圖形區(qū)域；

S3.對(duì)光致抗蝕劑層上形成的圖形區(qū)域進(jìn)行曝光顯影，暴露出與圖形區(qū)域相對(duì)應(yīng)的遮擋層；

S4.利用濕法或者干法刻蝕去除暴露出的遮擋層，形成透光區(qū)域；

S5.通過顯影或者等離子體轟擊法去除剩余的光致刻蝕劑層，獲得圖形化后的掩膜版。