[發明專利]半導體層表面粗化方法及具有表面粗化的LED結構形成方法

在審

• 申請號: 201410223412.1
• 申請日: 2014-05-23
• 公開（公告）號: CN105097441A
• 公開（公告）日: 2015-11-25
• 發明（設計）人: 張杰;彭遙
• 申請（專利權）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/60;H01L33/00;H01L33/22
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 張大威

1.一種半導體層表面粗化方法，其特征在于，包括以下步驟：

在所述半導體層之上形成固態的金屬或合金薄膜；

在高于所述金屬或合金熔點的預設溫度下退火預設時間，以使所述金屬或合金薄膜液化為多個金屬或合金液滴，然后降溫至所述金屬或合金的熔點以下，以使所述多個金屬或合金液滴冷凝為多個金屬或合金島狀凸起；

以所述多個金屬或合金島狀凸起為掩膜層，在所述半導體層的頂部刻蝕出凹凸結構以形成粗化表面；

去除所述多個金屬或合金島狀凸起。

2.根據權利要求1所述的半導體層表面粗化方法，其特征在于，所述金屬或合金的材料為：金、銀、銅、鋁、錫、鋅、銀鉛合金、銅鋁合金、錫鋅合金或銀錫合金。

3.根據權利要求1所述的半導體層表面粗化方法，其特征在于，所述金屬或合金薄膜的厚度為0.2-5nm。

4.根據權利要求1所述的半導體層表面粗化方法，其特征在于，所述預設溫度高于所述金屬或合金的熔點10-50℃。

5.根據權利要求1所述的半導體層表面粗化方法，其特征在于，所述預設時間為10-100min。

6.根據權利要求1所述的半導體層表面粗化方法，其特征在于，通過濺射或蒸鍍形成所述金屬或合金薄膜。

7.根據權利要求1所述的半導體層表面粗化方法，其特征在于，通過ICP干法刻蝕出所述凹凸結構。

8.根據權利要求1所述的半導體層表面粗化方法，其特征在于，所述粗化表面的粗糙度為6-600nm。

9.根據權利要求1所述的半導體層表面粗化方法，其特征在于，通過濕化學腐蝕去除所述多個金屬或合金島狀凸起。

10.一種具有表面粗化的LED結構形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底；

在所述襯底之上形成第一摻雜類型半導體層；

在所述第一摻雜類型半導體層之上形成多量子阱層；

在所述多量子阱層之上形成第二摻雜類型半導體層；

采用權利要求1-9中任一項所述的方法對所述第二摻雜類型半導體層的頂部進行表面粗化；

形成第一電極和第二電極。