[發(fā)明專利]基于石墨烯的電控太赫茲減反射膜、制備方法及使用方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201410222152.6
• 申請(qǐng)日: 2014-05-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103984051A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐新龍;周譯玄;任兆玉;白晉濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西北大學(xué)
• 主分類號(hào): G02B5/08
• 分類號(hào): G02B5/08;G02B1/10
• 代理公司: 西安恒泰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 61216
• 代理人: 林兵

1.一種基于石墨烯的電控太赫茲減反射膜，其特征在于，包括至少兩層石墨烯層，每?jī)蓪酉噜彽氖又g鋪有一層介質(zhì)層，所述介質(zhì)層將該兩層石墨烯層分隔開(kāi)。

2.如權(quán)利要求1所述的基于石墨烯的電控太赫茲減反射膜，其特征在于，所述石墨烯層為2～6層。

3.如權(quán)利要求1所述的基于石墨烯的電控太赫茲減反射膜，其特征在于，所述減反射膜的反射系數(shù)為0時(shí)即實(shí)現(xiàn)減反射，反射系數(shù)的計(jì)算式為：

r_film＝1-4n₁n₃/{[(M₁+M₂)n₃+(M₁-M₂)(n₂+Z₀σ_gra)](n₁+n₃+Z₀σ_gra)exp(ik₃d)

-[(M₃+M₄)n₃+(M₃-M₄)(n₂+Z₀σ_gra)](n₃-n₁-Z₀σ_gra)exp(-ik₃d)}；

M1M2M3M4=(1+Z0σgra2n3)exp(ik3d)Z0σgra2n3exp(-ik3d)-Z0σgra2n3exp(ik3d)(1-Z0σgra2n3)exp(-ik3d)N-2;]]>

式中，i代表虛部符號(hào)，N≥2是衰減片中石墨烯層的層數(shù)；n₁和n₂分別是N層石墨烯兩邊的介質(zhì)的折射率；Z₀是真空阻抗，n₃和d是石墨烯之間間隔介質(zhì)層的折射率和厚度，k₃＝ωn₃/c是其中的波矢，ω是角頻率，c是光速；σ_gra是每個(gè)單層石墨烯的太赫茲薄層電導(dǎo)，由下式計(jì)算得到：

|N_c|＝7.5×10¹⁰·|V_g-V_CNP|cm^-2V^-1；

式中，e，k_B和分別是元電荷，玻爾茲曼常數(shù)以及普朗克常數(shù)，T，Γ和E_F分別是溫度，散射率和費(fèi)米能級(jí)，v_F是石墨烯中載流子的費(fèi)米速度，N_c是石墨烯中的載流子濃度；V_g是實(shí)際加的電壓，V_CNP是指達(dá)到石墨烯樣品電中性點(diǎn)的電壓，V_g-V_CNP為所加?xùn)艍骸?/p>