[發(fā)明專利]GaN襯底儲存方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410220580.5
• 申請日: 2007-06-14
• 公開（公告）號: CN104022013B
• 公開（公告）日: 2017-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 井尻英幸;中畑成二
• 申請（專利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;H01L21/673;H01L21/20;H01L33/00
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11219
• 代理人: 韓峰,孫志湧

1.一種GaN襯底儲存方法，其采用配備有進(jìn)氣閥和排氣閥的儲存器件，所述進(jìn)氣閥和排氣閥與相應(yīng)的進(jìn)氣線和排氣相連接，所述GaN襯底儲存方法包括：

放置步驟，在所述儲存器件的內(nèi)部的氣氛的溫度為5℃至60℃的情況下，將多個準(zhǔn)備形成器件的GaN襯底放置到所述儲存器件中，其中，在所述放置步驟之前，將每個所述準(zhǔn)備形成器件的GaN襯底處理成以使得沿著每個GaN襯底的第一主面具有20nm以下的表面粗糙度Ra，以及使得沿著每個GaN襯底的第二主面具有20μm以下的表面粗糙度Ra；

進(jìn)氣/排氣步驟，經(jīng)由所述進(jìn)氣線和進(jìn)氣閥，將不大于18vol.％的氧濃度且不大于25g/m³的水蒸汽濃度的惰性氣體引入到所述儲存器件中，以及經(jīng)由所述排氣線和排氣閥，將大于18vol.％氧濃度和大于25g/m³的水蒸汽濃度的氣體從所述儲存器件排出，從而在所述儲存器件的內(nèi)部生成具有18vol.％以下的氧濃度以及25g/m³以下的水蒸汽濃度的氣氛；以及

密封步驟，將多個襯底密封到對于氧和水蒸汽隔絕的儲存容器中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN襯底儲存方法，其中，

在所述進(jìn)氣/排氣步驟中，在所述儲存器件的內(nèi)部生成的所述氣氛是氧濃度為5vol.％以下且水蒸汽濃度為17g/m³以下的氣氛。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的GaN襯底儲存方法，還包括與所述進(jìn)氣/排氣步驟一前一后地，將氧凈化劑和脫水劑放置在所述儲存器件的內(nèi)部的步驟。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN襯底儲存方法，其中，

將每個GaN襯底處理成以使得具有5nm以下的第一主面的表面粗糙度Ra，以及10μm以下的第二主面的表面粗糙度Ra。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN襯底儲存方法，其中，

在所述放置步驟之前，將每個GaN襯底處理成以使得具有由在所述GaN襯底上的主面和其(0001)面形成的偏軸角，并且在方向上，所述偏軸角是在0.05°和2°之間，端點包含在內(nèi)，以及在方向上，所述偏軸角是在0°和1°之間，端點包含在內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的GaN襯底儲存方法，其中，

將每個GaN襯底處理成以使得具有這樣的偏軸角，在方向上該偏軸角在0.1°和0.8°之間，端點包含在內(nèi)，以及在方向上該偏軸角在0°和0.6°之間，端點包含在內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的GaN襯底儲存方法，其中，被密封到所述儲存容器中的多個襯底被儲存大約六個月。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN襯底儲存方法，其中，

被密封到所述儲存容器中的多個襯底被儲存大約六個月。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN襯底儲存方法，還包括與所述進(jìn)氣/排氣步驟一前一后地，將氧凈化劑和脫水劑放置在所述儲存器件的內(nèi)部的步驟。