[發明專利]高度有序多孔陽極氧化膜的制備方法

有效

• 申請號: 201410220482.1
• 申請日: 2014-05-22
• 公開（公告）號: CN103966642A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 馬迪;李樹白;徐龍貴;袁樹龍
• 申請（專利權）人: 江蘇理工學院
• 主分類號: C25D11/08
• 分類號: C25D11/08;C25D11/16
• 代理公司: 常州市江海陽光知識產權代理有限公司 32214
• 代理人: 孫曉暉

1.一種高度有序多孔陽極氧化膜的制備方法，包括預處理和陽極氧化；所述的陽極氧化是將預處理后的純鋁放入電解液中，在-20～20℃的溫度下、80～120V的電壓下陽極氧化1～4h；其特征在于：所述的電解液為含有磷酸與鈷鹽的水溶液，每升電解液中含有0.1～0.6mol的磷酸以及0.1～0.8g的鈷鹽。

2.根據權利要求1所述的高度有序多孔陽極氧化膜的制備方法，其特征在于：所述的鈷鹽為Co(NO₃)₂·6H₂O、CoCO₃、(NH₄)₂Co(SO₄)₂·6H₂O、CoSO₄·7H₂O以及CoC₂O₄中的一種。

3.根據權利要求1或2所述的高度有序多孔陽極氧化膜的制備方法，其特征在于：所述的預處理是先將純鋁用無水乙醇浸泡1～5min，然后置于30～80℃的氫氧化鈉溶液中除去表面的天然氧化層，接著取出后立即置于硝酸溶液中進行酸堿中和反應5～30s。

4.根據權利要求3所述的高度有序多孔陽極氧化膜的制備方法，其特征在于所述的氫氧化鈉溶液的濃度為1～3mol/L。

5.根據權利要求3所述的高度有序多孔陽極氧化膜的制備方法，其特征在于：所述硝酸溶液的濃度為1～3mol/L。