[發明專利]一種衍射光學元件的制作方法

有效

• 申請號: 201410220044.5
• 申請日: 2014-05-23
• 公開（公告）號: CN103969724A
• 公開（公告）日: 2014-08-06
• 發明（設計）人: 張保平;左海杰;張江勇;應磊瑩
• 申請（專利權）人: 廈門大學
• 主分類號: G02B5/18
• 分類號: G02B5/18;G02B3/00;G03F7/20
• 代理公司: 廈門南強之路專利事務所(普通合伙) 35200
• 代理人: 馬應森

1.一種衍射光學元件的制作方法，其特征在于包括以下步驟：

1)在基片上制作金屬層；

2)涂膠，光刻顯影，腐蝕出金屬層作為刻蝕掩膜，該金屬層直徑為微透鏡最外層環帶外徑；

3)按設計厚度刻蝕基片形成最外層第一個環帶；

4)第二次涂膠，背面曝光光刻，顯影，保留光刻膠，側向腐蝕步驟2)中的金屬層，去除光刻膠；

5)正面涂膠，背面曝光顯影；

6)按設計厚度刻蝕基片形成最外層第二個環帶；

7)重復步驟4)，直到刻蝕出所有環帶，得到具有多臺階的微透鏡衍射光學元件。

2.如權利要求1所述一種衍射光學元件的制作方法，其特征在于在步驟1)中，所述金屬層選自Cr層，Au層，Ni層中的一種，也可以是其他非溶于光刻膠顯影劑的掩膜。

3.如權利要求1所述一種衍射光學元件的制作方法，其特征在于在步驟1)中，所述在基片上制作金屬層的方法包括濺射、電鍍、沉積中的一種。

4.如權利要求1所述一種衍射光學元件的制作方法，其特征在于在步驟2)中，所述刻蝕掩膜的外徑為微透鏡最外層環帶。

5.如權利要求1所述一種衍射光學元件的制作方法，其特征在于在步驟4)中，所述側向腐蝕的腐蝕量由微透鏡最外層第二個環帶寬度確定。

6.如權利要求1所述一種衍射光學元件的制作方法，其特征在于在步驟5)中，所述背面曝光的目的是保留金屬層上面的光刻膠作為側向腐蝕的掩膜。