[發(fā)明專利]電子器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201410219320.6
• 申請日: 2014-05-23
• 公開（公告）號: CN104183784B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: G·威廉姆斯
• 申請（專利權(quán)）人: 劍橋顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56;H01L51/10;H01L51/30;H01L51/40
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所11038
• 代理人: 王海寧

1.一種制造電子器件的方法，所述電子器件包含具有表面層的基底和在所述表面層上的限定阱的堤岸結(jié)構(gòu)，該方法包括：

選擇性地向所述表面層施加表面處理以改變所述表面層的第一區(qū)域或第二區(qū)域的表面能，使得第一溶液在沉積于所述第一區(qū)域上時的接觸角高于所述第一溶液在沉積于所述第二區(qū)域上時的接觸角，所述第一區(qū)域圍繞且鄰近于所述第二區(qū)域；以及

在所述表面層上沉積限定阱的堤岸結(jié)構(gòu)，所述堤岸結(jié)構(gòu)包含電絕緣材料并且圍繞所述第一區(qū)域；

將所述第一溶液沉積到所述表面層的第二區(qū)域上并且干燥所述沉積的第一溶液以形成層；以及

將第二溶液沉積在由第一溶液形成的層上方并且沉積到第一表面層區(qū)域上，

其中沉積的第一溶液在所述表面層的所述第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的邊界處具有定位點(diǎn)并且沉積的第二溶液具有另外的不同定位點(diǎn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中所述表面處理降低所述第一區(qū)域的潤濕性。

3.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，該方法包括：

在所述表面層的所述第一區(qū)域或所述第二區(qū)域上提供犧牲層區(qū)域以防止在所述表面處理期間所述第一區(qū)域和第二區(qū)域中另一個的表面能的所述改變；

施加所述表面處理；以及

至少部分地去除所述犧牲層區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求3的方法，其中所述提供所述犧牲層區(qū)域包括：

在所述表面層上沉積犧牲層；

進(jìn)行光刻以便用光致抗蝕劑選擇性地覆蓋所述犧牲層的所述犧牲層區(qū)域并且選擇性地暴露所述犧牲層的其它區(qū)域；

去除所述犧牲層的所述暴露區(qū)域以便通過所述選擇性覆蓋的光致抗蝕劑來阻止所述犧牲層區(qū)域的去除；和

在去除所述犧牲層的所述暴露區(qū)域之后去除所述選擇性覆蓋的光致抗蝕劑。

5.根據(jù)權(quán)利要求3和4中任一項的方法，其中所述的部分去除所述犧牲層區(qū)域是通過至少一個加工步驟來進(jìn)行，所述至少一個加工步驟是在所述表面處理之后在去除剩余的所述犧牲層區(qū)域之前進(jìn)行。

6.根據(jù)權(quán)利要求3至5中任一項的方法，其中犧牲層的初始沉積的厚度在10-50nm范圍內(nèi)。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中所述表面處理包括蒸氣暴露，優(yōu)選地硅烷蒸氣暴露。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中所述犧牲層區(qū)域包含氧化鎢。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中所述表面層包含氧化銦錫。

10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中所述電子器件是發(fā)光器件，并且其中第一溶液包含第一有機(jī)半導(dǎo)體材料并且是用于提供空穴注入層。

11.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中所述電子器件是發(fā)光器件，并且其中第二溶液包含第二有機(jī)半導(dǎo)體材料并且是用于提供夾層或發(fā)光層。

12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中當(dāng)沉積在所述表面層的第一區(qū)域上時所述第一溶液的接觸角是50°或者更大。

13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項的方法，其中當(dāng)沉積在所述表面層的第二區(qū)域上時所述第一溶液的接觸角是10°或更小。

14.根據(jù)任一前述權(quán)利要求的方法，其中第二溶液的定位點(diǎn)是在所述表面層的所述第一區(qū)域與所述堤岸結(jié)構(gòu)之間的邊界處。

15.一種包含基底和限定阱的堤岸結(jié)構(gòu)的電子器件，該基底具有表面層，其中限定阱的堤岸結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述表面層上，所述限定阱的堤岸結(jié)構(gòu)包含電絕緣材料并且圍繞表面層的第一區(qū)域和第二區(qū)域，

該器件包含：

設(shè)置在表面層的所述第二區(qū)域上的第一可溶液加工的層；和

設(shè)置在表面層的所述第一區(qū)域上并且在第一可溶液加工的層上方的第二可溶液加工的層，其中

所述第一區(qū)域在所述第二區(qū)域與所述堤岸結(jié)構(gòu)之間并且圍繞且鄰近于所述第二區(qū)域。

16.根據(jù)權(quán)利要求15的電子器件，其中第一區(qū)域和第二區(qū)域之間的邊界限定了第一層和第二層之間的界面。

17.根據(jù)權(quán)利要求15或16中任一項的電子器件，其中所述表面層包含氧化銦錫。

18.根據(jù)權(quán)利要求15至17中任一項的電子器件，其中所述第一和第二層中的至少所述第一層是可通過噴墨印刷沉積的。