[發(fā)明專利]光掩模用基板組和光掩模組及顯示裝置的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201410219079.7 | 申請(qǐng)日: | 2012-04-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103955111B | 公開(公告)日: | 2017-07-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 土屋雅譽(yù);池邊壽美 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | HOYA株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G03F1/60 | 分類號(hào): | G03F1/60;G03F1/76;G03F7/20;G02B5/20 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11127 | 代理人: | 李輝,黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光掩模用基板組 模組 顯示裝置 制造 方法 | ||
1.一種光掩模用基板組,其具有:
第1光掩模用基板,其用于在主表面上形成待轉(zhuǎn)印至被轉(zhuǎn)印體的轉(zhuǎn)印用圖案而成為第1光掩模;以及
第2光掩模用基板,其用于在主表面上形成待與所述轉(zhuǎn)印用圖案重疊地轉(zhuǎn)印至所述被轉(zhuǎn)印體的轉(zhuǎn)印用圖案而成為第2光掩模,
該光掩模用基板組的特征在于,
當(dāng)設(shè)所述第1光掩模用基板的主表面上的圖案區(qū)域內(nèi)設(shè)定的任意的點(diǎn)M相對(duì)于基準(zhǔn)面的高度為Zm,
設(shè)所述第2光掩模用基板的主表面上的圖案區(qū)域內(nèi)的處于與所述第1光掩模用基板上的點(diǎn)M對(duì)應(yīng)的位置處的點(diǎn)N相對(duì)于所述基準(zhǔn)面的高度為Zn,
并求出了所述Zm與所述Zn之差Zd時(shí),
在所述圖案區(qū)域內(nèi),該Zd的最大值ΔZdmax為17μm以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模用基板組,其特征在于,
該光掩模用基板組用于接近式曝光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模用基板組,其特征在于,
該光掩模用基板組在玻璃基板上形成有光學(xué)膜。
4.一種光掩模組,其具有:
第1光掩模,其在主表面上形成有待轉(zhuǎn)印至被轉(zhuǎn)印體的轉(zhuǎn)印用圖案;以及
第2光掩模,其在主表面上形成有待與所述轉(zhuǎn)印用圖案重疊地轉(zhuǎn)印至所述被轉(zhuǎn)印體的轉(zhuǎn)印用圖案,
該光掩模組的特征在于,
當(dāng)設(shè)所述第1光掩模的主表面上的圖案區(qū)域內(nèi)設(shè)定的任意的點(diǎn)M相對(duì)于基準(zhǔn)面的高度為Zm,
設(shè)所述第2光掩模的主表面上的圖案區(qū)域內(nèi)的處于與所述第1光掩模上的點(diǎn)M對(duì)應(yīng)的位置處的點(diǎn)N相對(duì)于所述基準(zhǔn)面的高度為Zn,
并求出了所述Zm與所述Zn之差Zd時(shí),
在所述圖案區(qū)域內(nèi),該Zd的最大值ΔZdmax為17μm以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光掩模組,其特征在于,
該光掩模組用于接近式曝光。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光掩模組,其特征在于,
該光掩模組在所述圖案區(qū)域中具有濾色片制造用圖案。
7.一種顯示裝置的制造方法,其特征在于,包括以下步驟:
準(zhǔn)備權(quán)利要求4中記載的所述第1光掩模和所述第2光掩模;以及
使用接近式曝光用的曝光機(jī)將所述第1光掩模具有的轉(zhuǎn)印用圖案和所述第2光掩模具有的轉(zhuǎn)印用圖案重疊地轉(zhuǎn)印至同一被轉(zhuǎn)印體。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過(guò)電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
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