[發明專利]半導體結構及其形成方法

有效

• 申請號: 201410219064.0
• 申請日: 2014-05-22
• 公開（公告）號: CN104218023B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 林瑋;S.斯科達斯;T.A.沃
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L23/532
• 分類號: H01L23/532;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 邱軍

1.一種結構，包括：

氧化錳層，設置在基板上；以及

溝槽，延伸穿過所述氧化錳層中的開口且進入所述基板中，其中所述開口的外圍與所述溝槽在所述基板中的部分的側壁的外圍在豎直方向上是一致的。

2.如權利要求1所述的結構，其中所述基板是半導體基板，并且所述結構還包括位于所述基板的相對于所述氧化錳層的相反側的至少一個電介質材料層，其中所述溝槽延伸穿過所述基板且進入所述至少一個電介質材料層中。

3.如權利要求2所述的結構，還包括埋設在所述至少一個電介質材料層內的金屬襯墊，其中所述溝槽的端表面是所述金屬襯墊的表面。

4.如權利要求3所述的結構，還包括：

電介質襯里，接觸所述開口的外圍以及所述溝槽的所述部分的側壁的外圍；以及

埋設在所述電介質襯里內的貫穿基板通路結構，包括導電材料，并且接觸所述金屬襯墊。

5.如權利要求3所述的結構，還包括另一基板，位于所述至少一個電介質材料層上且通過所述至少一個電介質材料層與所述基板豎直分隔。

6.如權利要求5所述的結構，其中所述至少一個電介質材料層包括在接合界面接合的第一電介質材料層和第二電介質材料層，并且所述溝槽延伸穿過所述接合界面。

7.如權利要求5所述的結構，還包括接觸所述貫穿基板通路結構的頂表面和氧化錳結構的頂表面的金屬線結構。

8.如權利要求7所述的結構，還包括另一貫穿基板通路結構，該另一貫穿基板通路結構埋設在所述基板中并且與所述貫穿基板通路結構橫向分隔并且接觸所述金屬線結構。

9.如權利要求8所述的結構，還包括：

另一溝槽，延伸穿過所述氧化錳層中的另一開口且進入所述基板中，其中所述另一開口的外圍與所述另一溝槽在所述基板中的部分的外圍在豎直向上是一致的；以及

另一電介質襯里，接觸所述另一開口的外圍以及所述另一溝槽的所述部分的側壁的外圍，

其中所述另一貫穿基板通路結構埋設在所述另一電介質襯墊內，包括所述導電材料，并且接觸埋設在所述至少一個電介質材料層中的另一金屬襯墊。

10.如權利要求9所述的結構，其中所述至少一個電介質材料層包括在接合界面接合的第一電介質材料層和第二電介質材料層，并且所述溝槽延伸穿過所述接合界面，而所述另一溝槽與所述接合界面不相交。

11.如權利要求1所述的結構，還包括位于所述基板上方的電介質附著促進劑層，其中所述氧化錳層與所述基板至少通過所述附著促進劑層豎直分隔。

12.如權利要求1所述的結構，其中所述基板包括半導體基板和位于其上的至少一個電介質材料層的疊層，并且所述溝槽延伸進入所述至少一個電介質材料層中且所述溝槽的底表面與埋設在所述至少一個電介質材料層內的金屬襯墊的表面重合。

13.一種形成結構的方法，包括：

在基板上方形成氧化錳層；

圖案化所述氧化錳層以在其中形成開口；以及

采用所述氧化錳層作為蝕刻掩模形成溝槽，該溝槽延伸穿過所述氧化錳層中的所述開口且進入所述基板中。

14.如權利要求13所述的方法，其中所述開口的外圍與所述溝槽在所述基板中的部分的側壁的外圍在豎直方向上是一致的。

15.如權利要求13所述的方法，還包括在形成所述氧化錳層之前在所述基板上形成電介質材料層，其中所述電介質材料層位于所述基板的相對于所述氧化錳層的相反側，并且所述方法還包括形成所述溝槽進入所述電介質材料層中。

16.如權利要求15所述的方法，還包括：

提供另一基板，該另一基板包括另一半導體基板和其上的另一電介質材料層的疊層；以及

在形成所述氧化錳層之前接合所述另一基板與所述基板，其中通過所述接合，所述電介質材料層的表面接合到所述另一電介質材料層的表面。

17.如權利要求16所述的方法，其中金屬襯墊埋設在所述另一電介質材料層內，并且所述方法還包括采用所述金屬襯墊作為蝕刻停止層而各向異性蝕刻所述電介質材料層的一部分。