[發明專利]薄膜晶體管基板及其制作方法及顯示器

有效

• 申請號: 201410218781.1
• 申請日: 2014-05-22
• 公開（公告）號: CN105097824B
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發明（設計）人: 李冠鋒;賴浩詮
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L29/45;H01L21/77;H01L21/28
• 代理公司: 11105 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陳小雯

1.一種薄膜晶體管基板，包括：

一基板；

一柵極，配置于該基板上；

一柵極絕緣層，配置于該基板上并覆蓋該柵極；

一主動層，配置于該柵極絕緣層上并位于該柵極上方，其中該主動層具有一第一氧空缺部分、一第二氧空缺部分與一第一部分，該第一部分具有一第一端部及一第二端部；

一源極與一漏極，配置于該主動層上，該源極直接連接該第一氧空缺部分與該第一端部，該漏極直接連接該第二氧空缺部分與該第二端部；

其中該第一氧空缺部分與該第二氧空缺部分分別位于該主動層的相對兩側，并且該第一氧空缺部分與該第二氧空缺部分分別與該柵極絕緣層的一上表面接觸，

其中該第一氧空缺部分與該第二氧空缺部分是由一蝕刻制作工藝在蝕刻形成該主動層的同時蝕刻該主動層的兩端所形成。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中該第一氧空缺部分與該第二氧空缺部分的載流子濃度大于該主動層的該第一部分的載流子濃度，該第一部分為該主動層除了該第一氧空缺部分與該第二氧空缺部分以外的部分。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中該第一氧空缺部分與該第二氧空缺部分的載流子濃度為10¹⁹每立方厘米至10²²每立方厘米。

4.如權利要求2所述的薄膜晶體管基板，其中該第一部分的載流子濃度為10¹⁶每立方厘米至10¹⁸每立方厘米。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中該主動層的厚度為300埃至700埃。

6.一種薄膜晶體管基板的制作方法，包括：

在一基板上形成一柵極；

在該基板上形成一柵極絕緣層以覆蓋該柵極；

在該柵極絕緣層上形成一主動層，該主動層位于該柵極上方；

在該主動層中形成一第一氧空缺部分、一第二氧空缺部分與一第一部分，該第一部分具有一第一端部及一第二端部，其中該第一氧空缺部分與該第二氧空缺部分是由一蝕刻制作工藝在蝕刻形成該主動層的同時蝕刻該主動層的兩端所形成；以及

在該主動層上形成一源極以及一漏極，其中該源極直接連接該第一氧空缺部分與該第一端部，該漏極直接連接該第二氧空缺部分與該第二端部；

其中該第一氧空缺部分與該第二氧空缺部分分別位于該主動層的相對兩側，并且該第一氧空缺部分與該第二氧空缺部分分別與該柵極絕緣層的一上表面接觸。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其中形成該主動層、該源極以及該漏極的步驟包括：

在該柵極絕緣層上形成一主動材料層；

通過該蝕刻制作工藝進行圖案化該主動材料層以形成該主動層；以及

形成該源極與該漏極以分別覆蓋該第一氧空缺部分以及該第二氧空缺部分。

8.如權利要求7所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其中該蝕刻制作工藝包括一濕式蝕刻制作工藝。

9.如權利要求7所述的薄膜晶體管基板的制作方法，其中該蝕刻制作工藝包括一濕式蝕刻制作工藝以及一干式蝕刻制作工藝。

10.一種顯示器，包括：

如權利要求1所述的薄膜晶體管基板；

一另一基板，與該薄膜晶體管基板相對設置；以及

一顯示介質，形成于該薄膜晶體管基板與該另一基板之間。

11.如權利要求10所述的顯示器，其中該顯示介質為一液晶層或是一有機發光層。